MDmesh™ M6-MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh™ M6-MOSFETs kombinieren eine niedrige Gate-Ladung (Qg) mit einem optimierten Kapazitätsprofil, um einen hohen Wirkungsgrad auf neuen Topologien in Leistungsumwandlungsapplikationen zu ermöglichen. Die Super-Junction MDmesh™ M6-Baureihe bietet ein Betriebsverhalten mit hohem Wirkungsgrad, wodurch eine erhöhte Leistungsdichte und eine niedrige Gate-Ladung für den Betrieb bei hohen Frequenzen erzielt wird. Die MOSFETs der M6-Baureihe verfügen über eine Durchschlagspannung von 600 bis 700 V und sind in einer großen Auswahl von Gehäuseoptionen erhältlich. Dazu gehören eine TO-Leadless-(TO-LL)-Gehäuselösung, die ein effizientes Wärmemanagement ermöglicht. Die Bauteile umfassen eine große Auswahl von Betriebsspannungen für Industrieapplikationen, einschließlich Ladegeräte, Adapter, Silver-Box-Module, LED-Beleuchtung, Telekommunikation, Server und Solarapplikationen.

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Verpackung
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 61 mOhm typ 39 A MDmesh M6 Power MOSFET
Datenblatt
16Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 39 A 69 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 57 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 25 A MDmesh M6 Power MOSFET in a D2PAK package
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
: 1.000

Si MDmesh Reel
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 68 mOhm typ., 36 A MDmesh M6 Power MOSFET in a D2PAK package
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
: 1.000

Si MDmesh Reel
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 520 mOhm typ., 6.4 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

Si MDmesh Reel
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 320 mOhm typ., 10 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

Si MDmesh Reel
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 780 mOhm typ., 5 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
: 2.500

Si MDmesh Reel

STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 196 mOhm typ., 15 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220FP packag
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1.000
Mult.: 1.000

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15 A 230 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 20 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 25 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220FP packag
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1.000
Mult.: 1.000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 125 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 33.4 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 68 mOhm typ., 36 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220FP package
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1.000
Mult.: 1.000

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 36 A 80 mOhms - 25 V, 25 V 4.75 V 53.5 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 300 mOhm typ., 10 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 p
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
: 3.000

Si SMD/SMT PowerFLAT-8 N-Channel 1 Channel 600 V 10 A 350 mOhms - 20 V, 20 V 3.25 V 16.7 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement MDmesh Reel
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 255 mOhm typ., 9 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
: 3.000

Si SMD/SMT PowerFLAT-8 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 308 mOhms - 20 V, 20 V 3.25 V 16.8 nC - 55 C + 150 C 57 W Enhancement MDmesh Reel
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 220 mOhm typ., 10 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 H
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PowerFLAT-8 N-Channel 1 Channel 600 V 10 A 250 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 20 nC - 55 C + 150 C 57 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 15 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
: 3.000

Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-5 N-Channel 1 Channel 600 V 15 A 209 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 23 nC - 55 C + 150 C 109 W Enhancement MDmesh Reel
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 25 A MDmesh M6 Power MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1.800
Mult.: 1.800
: 1.800

Si SMD/SMT TO-LL-8 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 125 mOhms - 25 V, 25 V 4.75 V 33.4 nC - 55 C + 150 C 230 W Enhancement MDmesh Reel
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 36 A MDmesh M6 Power MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1.800
Mult.: 1.800
: 1.800

Si SMD/SMT TO-LL-8 N-Channel 1 Channel 600 V 36 A 80 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 52.2 nC - 55 C + 150 C 255 W Enhancement MDmesh Reel
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 650 V, 53 mOhm typ., 55 A MDmesh DM6 Power MOSFET
Datenblatt
Vorlaufzeit 52 Wochen
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.800

Si SMD/SMT TO-LL-8 N-Channel 1 Channel 650 V 55 A 65 mOhms - 25 V, 25 V 4.75 V 80 nC - 55 C + 150 C 240 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 61 mOhm typ., 39 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 package
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 600
Mult.: 600

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 39 A 69 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 57 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 35 mOhm typ., 63 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO247-4 package
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 600
Mult.: 600

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 600 V 63 A 41 mOhms - 25 V, 25 V MDmesh Tube
STMicroelectronics STL19N60M6
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 255 mOhm typ., 11 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 H
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
: 3.000

Si MDmesh Reel
STMicroelectronics STWA67N60M6
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 45 mOhm typ., 52 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 long lead
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 600
Mult.: 600

Si MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 196 mOhm typ., 15 A MDmesh M6 Power MOSFET in a D2PAK package
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 15 A 230 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 20 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement MDmesh Reel
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 390 mOhm typ., 6.4 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
: 3.000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-4 N-Channel 1 Channel 600 V 6.4 A 490 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 12.3 nC - 55 C + 150 C 48 W Enhancement MDmesh Reel
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 0.30 Ohm typ., 8 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
: 3.000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel 1 Channel 600 V 8 A 350 mOhms - 25 V, 25 V 4.75 V 16.7 nC - 55 C + 150 C 52 W Enhancement MDmesh Reel
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 175 mOhm typ., 15 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
: 3.000

Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-5 N-Channel 1 Channel 600 V 15 A 215 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 24 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement MDmesh Reel
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 91 mOhm typ., 25 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
: 3.000

Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-5 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 110 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 44.3 nC - 55 C + 150 C 160 W Enhancement MDmesh Reel