RFx30TZ6S & RFx60TZ6S Ultra Fast Recovery-Dioden

Die Ultra Fast Recovery-Dioden RFx30TZ6S und RFx60TZ6S von ROHM Semiconductor sind planare Silizium-Epitaxie-Dioden, die eine Spitzensperrspannung von 650 V und einen gleichgerichteten Vorwärtsstrombereich von 30 A bis 60 A bieten. Diese Bauteile zeichnen sich durch eine schnelle Erholungszeit, extrem niedrige Schaltverluste und eine hohe Stromüberlastfähigkeit aus.

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Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Vr - Sperrspannung
If - Durchlassstrom
Typ
Konfiguration
Vf - Durchlassspannung
Max. Spitzenstrom
Ir - Sperrstrom
Rückstellungszeit
Maximale Betriebstemperatur
Verpackung
ROHM Semiconductor Gleichrichter 650V 30A, TO-247-2L, Ultra Soft Recovery Type, Ultra Fast Recovery Diode
Datenblatt
1.665Auf Lager
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Through Hole TO-247-2 650 V 30 A Ultra Fast Recovery Diode Single 2.3 V 160 A 5 uA 38 ns + 175 C Tube
ROHM Semiconductor Gleichrichter Diode, Fast Recovery, 650V 30A, TO-247-2L
Datenblatt
1.095Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-2 650 V 30 A Ultra Fast Recovery Diode Single 1.5 V 200 A 5 uA 70 ns + 175 C Tube
ROHM Semiconductor Gleichrichter 650V 60A, TO-247-2L, Ultra Soft Recovery Type, Ultra Fast Recovery Diode
Datenblatt
1.114Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-2 650 V 60 A Ultra Fast Recovery Diode Single 2.3 V 250 A 10 uA 48 ns + 175 C Tube
ROHM Semiconductor Gleichrichter Diode, Fast Recovery, 650V 60A, TO-247-2L
Datenblatt
929Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-2 650 V 60 A Ultra Fast Recovery Diode Single 1.5 V 320 A 10 uA 90 ns + 175 C Tube