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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Verpackung
Vishay Semiconductors MOSFETs 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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5.368Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 150 V 29 A 28.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 21 nC - 55 C + 150 C 69.5 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape
Vishay / Siliconix MOSFETs 150V Vds 42A Id 10.5nC Qg Typ.
Datenblatt
Produkt-Kommentare
5.523Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 150 V 42 A 37.2 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 25 nC - 55 C + 175 C 65.2 W Enhancement
Vishay / Siliconix MOSFETs 250V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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2.546Auf Lager
21.000Auf Bestellung
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 250 V 24.2 A 52 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 40 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFETs 200V Vds 20V Vgs TO-263
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3.286Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 200 V 64 A 18 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 48 nC - 55 C + 175 C 230 W Enhancement
Vishay / Siliconix MOSFETs 200V Vds 20V Vgs TO-220AB
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388Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 64 A 18 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 48 nC - 55 C + 175 C 230 W Enhancement