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NVBG095N65S3F

Name: onsemi NVBG095N65S3F
Brand: onsemi
SKU: 863-NVBG095N65S3F
Price: 6.45 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NVBG095N65S3F

Herst.- Nr.:

NVBG095N65S3F

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs SF3 FRFET AUTO 95MOHM D2PAK 7L

Datenblatt:

NVBG095N65S3F Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+5,00 €)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	6,45 €	6,45 €
	4,41 €	44,10 €
	3,35 €	335,00 €
	3,13 €	1.565,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 800)
	3,13 €	2.504,00 €

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TO-263-7
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	36 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	95 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	5 V
Qg - Gate-Ladung:	66 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	272 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Abfallzeit:	4.2 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	19 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	23.8 ns
Serie:	NVBG095N65S3F
Verpackung ab Werk:	800
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	69.6 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	29.2 ns

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Datenblatt

NVBG095N65S3F Datenblatt

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

NVBG095N65S3F N-Kanal-SUPERFET®-III-MOSFET

Der onsemi NVBG095N65S3F n-Kanal-SUPERFET^® -III-MOSFET ist ein Hochspannungs-Super-Junction(SJ)-MOSFET, der die Ladungsausgleich-Technologie nutzt. Dieser Leistungs-MOSFET bietet geringere Leitungsverluste, überragende Schaltleistung und widersteht extremen dv/dt-Raten. Der NVBG095N65S3F n-Kanal-SUPERFET-III-MOSFET optimiert die Sperrverzögerungsleistung der Body-Diode, wodurch die zusätzliche Komponente entfällt und die Systemzuverlässigkeit verbessert wird. Dieser MOSFET ist AEC-Q101-qualifiziert, PPAP-fähig, bleifrei und RoHs-konform. Zu den typischen Applikationen gehören On-Board-Ladegeräte in der Fahrzeugindustrie und DC/DC-Wandler für batteriebetriebene Elektrofahrzeuge (BEV).