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SIHH070N60EF-T1GE3

Name: Vishay SIHH070N60EF-T1GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SIHH070N60EFT1GE3
Price: 6.19 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

78-SIHH070N60EFT1GE3

Herst.- Nr.:

SIHH070N60EF-T1GE3

Herst.:

Vishay / Siliconix

Beschreibung:

MOSFETs 600V PowerPAK 8x8 N-CHANNEL

Datenblatt:

SIHH070N60EF-T1GE3 Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

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Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	6,19 €	6,19 €
	4,18 €	41,80 €
	3,82 €	382,00 €
	3,78 €	1.890,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	3,38 €	10.140,00 €
6.000	Kostenvoranschlag

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PowerPAK-8 x 8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	600 V
Id - Drain-Gleichstrom:	36 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	71 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	5 V
Qg - Gate-Ladung:	50 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	202 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Vishay / Siliconix
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	38 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	10.5 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	79 ns
Serie:	SIHH EF
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	55 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	36 ns
Gewicht pro Stück:	50 mg

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Siliconix EF-Baureihe MOSFETs der 4. Generation

Vishay Siliconix EF-Baureihe MOSFETs der 4. Generation bieten eine extrem niedrige Gütezahl (Figure of Merit, FOM) für eine Hochleistungsschaltung und einen hohen Wirkungsgrad. Die MOSFET-FOM wird als Einschaltwiderstand (R_(DS)ON) multipliziert mit der Gate-Ladung (Q_g) berechnet. Diese MOSFETs basieren auf der Superjunction-Technologie der 4. Generation von Vishay und verfügen über einen typischen niedrigen Einschaltwiderstand von 0,088 Ω bis 0,225 Ω bei V_GS = 10 V und eine extrem niedrige Gate-Ladung von bis zu 21 nC. Darüber hinaus bieten diese Bauteile niedrige effektive Ausgangskapazitäten (Co_(er) und Co_(tr)) für eine verbesserte Schaltleistung. Diese Werte sorgen für geringere Leit- und Schaltverluste, um Energie zu sparen.

SiHH070N60EF Leistungs-MOSFET

Der Vishay SiHH070N60EF Leistungs-MOSFET verfügt über die E-Baureihen-Technologie der 4. Generation, eine niedrige Gütezahl (Figure-of-Merit, FOM) und eine effektive Kapazität. Dieser Leistungs-MOSFET verfügt über eine Avalanche-Energieeinstufung (UIS) und reduziert Schalt- und Leitungsverluste. Zu den typischen Applikationen gehören Server- und Telekommunikations-Netzteile, Schaltnetzteile (SNTs), Blindleistungskompensations-Netzteile (PFC), Motorantriebe, Akkuladegeräte und Schweißmaschinen.