Qorvo UJ4C/SC 750V-SiC-FETs der 4. Generation

Die UJ4C/SC 750 V SiC-FETs der 4. Gen. von Qorvo sind eine Hochleistungs-Baureihe, die branchenweit beste Leistungskennzahlen liefert, die Leitungsverluste senken und die Effizienz bei höherer Geschwindigkeit erhöhen, während sie gleichzeitig die Gesamtkosteneffektivität verbessern. Die Gen 4-Baureihe ist in 5,4 mΩ bis 60 mΩ Optionen erhältlich und basiert auf einer einzigartigen Kaskaden-Konfiguration, bei der ein Hochleistungs-SiC-JFET mit einem Kaskaden-optimierten Si-MOSFET kombiniert ist, um ein Standard-Gate-Drive-SiC-Bauteil zu bilden. Die Standard-Gate-Drive-Eigenschaften der UJ4C/SC 750 V FETs ermöglichen einen „Drop-in-Ersatz“ -Funktionsumfang. Entwickler können die Systemleistung erheblich verbessern, ohne die Gate-Drive-Spannung zu ändern, indem bestehende Si-IGBTs, Si FETs, SiC-FETs oder Si-Super-Junction-Bauteile durch die UJ4C/SC FETs von Qorvo ersetzt werden.