Low Power CMOS SRAM

Alliance Memory Low Power Asynchronous Static Random Access Memory (SRAM) devices are fabricated using high-performance, high-reliability CMOS technology. Alliance Memory CMOS SRAM devices are designed for low-power applications and are particularly well-suited for battery backup nonvolatile memory applications. AS6C8008 is a 8,388,608-bit device organized as 1,048,576 words by 8-bits. AS6C1616 is a 16,777,216-bit device organized as 1,048,576 words by 16-bits. AS6C6264A is a 65,536-bit device organized as 8,192 words by 8 bits. AS6C62256 is a 262,144-bit device organized as 32,768 words by 8-bits. Available in different packages/cases.

Ergebnisse: 33
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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Speichergröße
Organisation
Zugangszeit
Schnittstellen-Typ
Versorgungsspannung - Max.
Versorgungsspannung - Min.
Versorgungsstrom - Max.
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Verpackung
Alliance Memory SRAM 256K, 2.7-5.5V, 55ns 32K x 8 Asynch SRAM
Datenblatt
442Auf Lager
702erwartet ab 03.12.2026
Min.: 1
Mult.: 1

256 kbit 32 k x 8 55 ns Parallel 5.5 V 2.7 V 45 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT sTSOP-28 Tray
Alliance Memory SRAM 256K, 2.7-5.5V, 55ns 32K x 8 Asynch SRAM
Datenblatt
3.689Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

256 kbit 32 k x 8 55 ns Parallel 5.5 V 2.7 V 45 mA 0 C + 70 C SMD/SMT sTSOP-28 Tray
Alliance Memory SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch SRAM
Datenblatt
258Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

4 Mbit 512 k x 8 55 ns Parallel 5.5 V 2.7 V 60 mA - 40 C + 85 C Through Hole PDIP-32 Tube
Alliance Memory SRAM 64K, 2.7-5.5V, 55ns 8K x 8 Asynch SRAM
Datenblatt
125Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

64 kbit 8 k x 8 55 ns Parallel 5.5 V 2.7 V 45 mA 0 C + 70 C SMD/SMT sTSOP-28 Tray
Alliance Memory SRAM 16Mb 1M x 16 Bit Low Power CMOS SRAM with switchable IO options x16 or x8 Reel
Datenblatt
1.434Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

16 Mbit 1 M x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-48 Reel, Cut Tape
Alliance Memory SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch SRAM
Datenblatt
1.576Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

4 Mbit 512 k x 8 55 ns Parallel 5.5 V 2.7 V 60 mA 0 C + 70 C Through Hole PDIP-32 Tube
Alliance Memory SRAM 256K, 2.7-5.5V, 55ns 32K x 8 Asynch SRAM
Datenblatt
1.589Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

256 kbit 32 k x 8 55 ns Parallel 5.5 V 2.7 V 45 mA 0 C + 70 C Through Hole PDIP-28 Tube
Alliance Memory SRAM 256K, 2.7-5.5V, 55ns 32K x 8 Asynch SRAM
Datenblatt
365Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

256 kbit 32 k x 8 55 ns Parallel 5.5 V 2.7 V 45 mA 0 C + 70 C SMD/SMT SOP-28 Tube
Alliance Memory SRAM 256K, 2.7-5.5V, 55ns 32K x 8 Asynch SRAM
Datenblatt
545Auf Lager
1.000erwartet ab 02.02.2027
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

256 kbit 32 k x 8 55 ns Parallel 5.5 V 2.7 V 45 mA 0 C + 70 C SMD/SMT SOP-28 Reel, Cut Tape, MouseReel
Alliance Memory SRAM 64K, 2.7-5.5V, 55ns 8K x 8 Asynch SRAM
Datenblatt
308Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

64 kbit 8 k x 8 55 ns Parallel 5.5 V 2.7 V 45 mA 0 C + 70 C Through Hole PDIP-28 Tube
Alliance Memory SRAM 64K, 2.7-5.5V, 55ns 8K x 8 CMOS SRAM
Datenblatt
209Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

64 kbit 8 k x 8 55 ns Parallel 5.5 V 2.7 V 45 mA - 40 C + 85 C Through Hole PDIP-28 Tube
Alliance Memory SRAM 64K, 2.7-5.5V, 55ns 8K x 8 Asynch SRAM
Datenblatt
779Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

64 kbit 8 k x 8 55 ns Parallel 5.5 V 2.7 V 45 mA 0 C + 70 C SMD/SMT SOP-28 Tube
Alliance Memory SRAM 64M 3V 55ns Low Power 4096k x 16
Datenblatt
263Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

64 Mbit 4 M x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-48 Tray
Alliance Memory SRAM 64M 3V 4048k x 16 LP Asynch SRAM IT
Datenblatt
5Auf Lager
220erwartet ab 24.12.2026
Min.: 1
Mult.: 1

64 Mbit 4 M x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-48 Tray
Alliance Memory SRAM 8M, 2.7-5.5V, 55ns 1024K x 8 Asyn SRAM
Datenblatt
8Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

8 Mbit 1 M x 8 55 ns Parallel 5.5 V 2.7 V 60 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-44 Tray
Alliance Memory SRAM 256K, 2.7-5.5V, 55ns 32K x 8 Asynch SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 1.500
Mult.: 1.500
: 1.500

256 kbit 32 k x 8 55 ns Parallel 5.5 V 2.7 V 45 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT sTSOP-28 Reel
Alliance Memory SRAM 16Mb 1M x 16 Bit Low Power CMOS SRAM with switchable IO options x16 or x8 Tray
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

16 Mbit 1 M x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-48 Tray
Alliance Memory SRAM 32M 3V 55ns LP 2048Kx16 Asynch IT
Datenblatt
Vorlaufzeit 30 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

32 Mbit 2 M x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Tray
Alliance Memory SRAM 32M 3V 55ns LP 2048Kx16 Asynch IT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 30 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
: 2.000

32 Mbit 2 M x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Reel
Alliance Memory SRAM 32M, 3V, 55ns 2048K x 16 Asyn SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 30 Wochen
Min.: 1.500
Mult.: 1.500
: 1.500

32 Mbit 2 M x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-48 Reel
Alliance Memory SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch SRAM
Datenblatt
Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

4 Mbit 512 k x 8 55 ns Parallel 5.5 V 2.7 V 60 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-36 Tray
Alliance Memory SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
: 2.000

4 Mbit 512 k x 8 55 ns Parallel 5.5 V 2.7 V 60 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-36 Reel
Alliance Memory SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

4 Mbit 512 k x 8 55 ns Parallel 5.5 V 2.7 V 60 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-32 Reel, Cut Tape, MouseReel
Alliance Memory SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 30 Wochen
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

4 Mbit 512 k x 8 55 ns Parallel 5.5 V 2.7 V 60 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-II-32 Reel, Cut Tape, MouseReel
Alliance Memory SRAM 4M 512Kx8 70ns 2.7-5.5V Asynch AT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
: 1.000

4 Mbit 512 k x 8 70 ns Parallel 5.5 V 2.7 V 50 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT SOP-32 Reel