RN-Automotive-Vorspannungswiderstand für ingebaute Transistoren

RN-Automotive-Vorspannungswiderstände mit eingebauten Transistoren (BRT) von Toshiba sind AEC-Q101-qualifiziert und für Schalt-, Wechselrichter-, Schnittstellen- und Treiberschaltungsautomotive optimiert. Der Vorspannungswiderstand ist integriert, wodurch die Anzahl der erforderlichen externen Teile reduziert und die Systemgröße und Bestückungszeit reduziert werden. Die RN-Automotive-Vorspannungswiderstände (BRTs) von Toshiba bieten einen breiten Widerstandsbereich zur Anpassung an verschiedene Schaltungsdesigns.

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Toshiba Bipolartransistoren - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:70-140 SOT-346 (S-Mini) 5.779Auf Lager
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Toshiba Bipolartransistoren - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-346 (S-Mini) 8.229Auf Lager
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Toshiba Bipolartransistoren - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-323 (USM) 7.177Auf Lager
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Toshiba Bipolartransistoren - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-323 (USM) 487Auf Lager
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Toshiba Bipolartransistoren - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-416 (SSM) 2.880Auf Lager
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Toshiba Bipolartransistoren - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-416 (SSM) 5.850Auf Lager
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Toshiba Bipolartransistoren - BJT AUTO AEC-Q NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:350-700 SOT-346 (S-Mini) 7.483Auf Lager
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Toshiba Bipolartransistoren - BJT AUTO AEC-Q NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:200-400 SOT-346 (S-Mini) 8.330Auf Lager
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Toshiba Bipolartransistoren - BJT AUTO AEC-Q NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:120-240 SOT-346 (S-Mini) 7.007Auf Lager
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Toshiba Bipolartransistoren - BJT AUTO AEC-Q NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:200-4000 SOT-323 (USM) 2.874Auf Lager
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Toshiba Bipolartransistoren - BJT AUTO AEC-Q NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:120-240 SOT-323 (USM) 5.892Auf Lager
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Toshiba Bipolartransistoren - BJT AUTO AEC-Q NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:120-700 SOT-416 (SSM) 6.676Auf Lager
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Toshiba ESD-Schutzdioden / TVS-Dioden AUTO AEC-Q Bidirectional ESD Prot. Diode CT:9pF VBR:26V @1mA VESD:+/-25V IPP:3A IR:0.1uA SOT-323 3.830Auf Lager
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Toshiba ESD-Schutzdioden / TVS-Dioden AUTO AEC-Q Bidirectional ESD Prot. Diode CT:6.5pF VBR:32V @1mA VESD:+/-20V IPP:2.5A IR:0.1uA SOT-323 8.830Auf Lager
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Toshiba Bipolartransistoren - BJT AUTO AEC-Q PNP + PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-563 (ES6) 6.250Auf Lager
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Toshiba Bipolartransistoren - BJT AUTO AEC-Q PNP + PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-400 SOT-363 (US6) 5.658Auf Lager
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Toshiba Bipolartransistoren - BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-400 SOT-363 (US6) 2.420Auf Lager
6.000erwartet ab 18.05.2026
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Toshiba Bipolartransistoren - BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-400 SOT-363 (US6) 5.962Auf Lager
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Toshiba Bipolartransistoren - BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-563 (ES6) 1.254Auf Lager
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Toshiba Bipolartransistoren - BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-363 (US6) 4.629Auf Lager
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Toshiba Bipolartransistoren - BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-363 (US6) 6.000Auf Lager
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Toshiba Bipolartransistoren - BJT AUTO AEC-Q NPN + NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:120-400 SOT-563 (ES6) 7.757Auf Lager
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Toshiba Bipolartransistoren - BJT AUTO AEC-Q NPN + NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:120-400 SOT-563 (ES6) 8.000Auf Lager
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Toshiba Digitaltransistoren AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=4.7kO, Q1BER=4.7kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-416) 4.740Auf Lager
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Toshiba Digitaltransistoren AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=4.7kO, Q1BER=4.7kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-723) 2.145Auf Lager
8.000erwartet ab 24.04.2026
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