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SQSA12CENW-T1_GE3

Name: Vishay SQSA12CENW-T1_GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SQSA12CENW-T1_GE3
Price: 1.22 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

78-SQSA12CENW-T1_GE3

Herst.- Nr.:

SQSA12CENW-T1_GE3

Herst.:

Vishay / Siliconix

Beschreibung:

MOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

Datenblatt:

SQSA12CENW-T1_GE3 Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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Cut-Tape

MouseReel™ (+5,00 €)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	1,22 €	1,22 €
	0,768 €	7,68 €
	0,508 €	50,80 €
	0,396 €	198,00 €
	0,36 €	360,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	0,314 €	942,00 €
	0,313 €	1.878,00 €
	0,302 €	2.718,00 €
	0,296 €	7.104,00 €

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PowerPAK-1212-8W
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	100 V
Id - Drain-Gleichstrom:	18 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	22 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	31 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	62.5 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	TrenchFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Vishay / Siliconix
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	9 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	47 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	4 ns
Serie:	SQS
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	TrenchFET Power MOSFET
Regelabschaltverzögerungszeit:	25 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	11 ns

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Datenblatt

SQSA12CENW-T1_GE3 Datenblatt

Models

R-C Thermal Model Parameters

Technical Resources

Konformitätscodes

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

SQSA12CENW 100-V-Automotive-n-Kanal-MOSFET

Der Vishay/Siliconix SQSA12CENW 100-V-Automotive-n-Kanal-MOSFET ist ein AEC-Q101-qualifizierter TrenchFET^®-Leistungs-MOSFET. Der SQSA12CENW MOSFET verfügt über einen 18-A-I_D-, 100-V-V_DS- und 0,022-Ω-R_DS(on). Der SQSA12CENW 100-V-n-Kanal-Automotive-MOSFET von Vishay/Siliconix ist in einem einzelnen PowerPAK^® 1212-8W-Gehäuse verfügbar und für einen Sperrschicht- und Lagertemperaturbereich von 55 °C bis +175 °C ausgelegt.