GANSPIN611 GaN-Halbbrücke mit hoher Leistungsdichte

STMicroelectronics GANSPIN611 GaN-Halbbrücke mit hoher Leistungsdichte ist ein fortschrittliches Power-System-in-Package, das zwei Anreicherungs-GaN-Transistoren in einer Bauform integriert, die von einem hochmodernen Hochspannungs-Hochfrequenz-Gate-Treiber angesteuert werden. Die integrierten Leistungs-GaNs haben einen RDS(ON) von 138 mΩ und eine Drain-Source-Durchbruchspannung von 650 V, während die integrierte Bootstrap-Diode problemlos die High-Seite des integrierten Gate-Treibers versorgen kann.

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Menge RoHS ECAD Model Produkt
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Verpackung/Gehäuse
Verpackung
STMicroelectronics Motor / Bewegung / Zündungscontroller und Treiber 650 V enhancement mode GaN high-power density half-bridge with high-voltage driver
Datenblatt
990Auf Bestellung
MouseReel verfügbar
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Rolle: 3.000

Half-bridge Driver Half-bridge with High-voltage Driver 10 A 900 uA - 40 C + 125 C SMD/SMT QFN-35 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Motor / Bewegung / Zündungscontroller und Treiber 650 V enhancement mode GaN high-power density half-bridge with high-voltage driver
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Mult.: 1
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