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MJE13007G

Name: onsemi MJE13007G
Brand: onsemi
SKU: 863-MJE13007G
Price: 1.93 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-MJE13007G

Herst.- Nr.:

MJE13007G

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

Bipolartransistoren - BJT 8A 400V 80W NPN

Datenblatt:

MJE13007G Datenblatt

ECAD Model:

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Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	Bipolartransistoren - BJT
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-220-3
Transistorpolung:	NPN
Konfiguration:	Single
Maximaler Kollektorgleichstrom (DC):	8 A
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	400 V
Kollektor-Basisspannung VCBO:	700 V
Emitter-Basisspannung VEBO:	9 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	1 V
Pd - Verlustleistung:	80 W
Bandbreitengewinnungsprodukt fT:	14 MHz
Minimale Betriebstemperatur:	- 65 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Serie:	MJE13007
Verpackung:	Tube
Marke:	onsemi
Kollektorgleichstrom:	8 A
DC-Kollektor/Basisgewinnung hfe Min:	8
Produkt-Typ:	BJTs - Bipolar Transistors
Verpackung ab Werk:	50
Unterkategorie:	Transistors
Gewicht pro Stück:	6 g

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Datenblatt

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Konformitätscodes

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: Malaysia
Land der Verbreitung:: Malaysia

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

FJP13007 NPN-Hochspannungstransistor

Der onsemi FJP13007 NPN-Hochspannungstransistor verfügt über eine Hochspannungsleistung und eine hohe Schaltgeschwindigkeit. Der FJP13007 eignet sich für die Stromversorgung von elektronischen Vorschaltgeräten und Schaltmodi.

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MJE13007G

Herst.: onsemi

Beschreibung: Bipolartransistoren - BJT 8A 400V 80W NPN

Technische Daten

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Umweltunterlagen

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