IXT X4 200-V-Ultra-Junction-Leistungs-MOSFETs

IXYS IXT X4 200-V-Ultra-Junction-Leistungs-MOSFETs sind n-Kanal-Anreicherungstyp-Bauteile mit entweder 10,6 mΩ, 13 mΩ, oder 21 mΩ RDS(on) und einer maximalen Drain-Quelle-Spannung von 200 V. Die IXT-MOSFETs sind im TO-220-, TO-247-, TO-263- oder TO-268-Standardgehäuse mit Avalanche-Rating und hoher Leistungsdichte erhältlich. Die IXT X4 200-V-Ultra-Junction-Leistungs-MOSFETs von IXYS eignen sich hervorragend für den Einsatz in Schaltmodus- und Resonanzmodus-Netzteilen.

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Verpackung
IXYS MOSFETs TO263 200V 86A N-CH X4CLASS
Datenblatt
2.003Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 200 V 86 A 13 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 70 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs 200V, 60A current capacity, Ultra junction X4, TO-263 package, MOSFET
Datenblatt
502Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 200 V 60 A 21 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 11 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement X4-Class Tube
IXYS MOSFETs 200V, 60A current capacity, Ultra junction X4, TO-220 package, MOSFET
Datenblatt
268Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 60 A 21 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 11 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement X4-Class Tube
IXYS MOSFETs 200V, 60A current capacity, Ultra junction X4, TO-247 package, MOSFET
Datenblatt
354Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 60 A 21 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 11 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement X4-Class Tube
IXYS MOSFETs TO220 200V 94A N-CH X4CLASS
Datenblatt
719Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 94 A 10.6 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 77 nC - 55 C + 175 C 360 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs TO247 200V 220A N-CH X4CLASS
Datenblatt
278Auf Lager
930erwartet ab 03.09.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 220 A 5.5 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 157 nC - 55 C + 175 C 800 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs TO263 200V 94A N-CH X4CLASS
Datenblatt
620Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 200 V 94 A 10.6 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 77 nC - 55 C + 175 C 360 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs TO247 200V 94A N-CH X4CLASS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 30 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 94 A 10.6 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 77 nC - 55 C + 175 C 360 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs TO220 200V 86A N-CH X4CLASS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 36 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 86 A 13 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 70 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube