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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Verpackung
ROHM Semiconductor MOSFETs DFN2020 N-CH 40V 12A
Datenblatt
452Auf Lager
3.000erwartet ab 15.07.2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT DFN2020-8 N-Channel 1 Channel 40 V 12 A 18.5 mOhms 20 V 2.5 V 8.5 nC - 55 C + 150 C 23 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFETs DFN2020 N-CH 40V 12A
Datenblatt
2.100Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT DFN2020-8 N-Channel 1 Channel 40 V 12 A 19 mOhms 4 V 2.5 V 8.5 nC - 55 C + 150 C 23 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFETs DFN2020 P-CH 60V 12A
Datenblatt
2.016Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT DFN2020-8 P-Channel 1 Channel 60 V 12 A 119 mOhms - 20 V, 5 V 2.5 V 15.7 nC - 55 C + 150 C 23 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFETs DFN2020 N-CH 60V 12A
Datenblatt
467Auf Lager
3.000erwartet ab 21.08.2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT DFN2020-8 N-Channel 1 Channel 60 V 12 A 31 mOhms 20 V 2.5 V 7.3 nC - 55 C + 150 C 23 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFETs DFN 100V 12A N-CH
Datenblatt
2.152Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT DFN2020-8 N-Channel 1 Channel 100 V 12 A 59 mOhms 20 V 2.5 V 6.9 nC - 55 C + 150 C 23 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor MOSFETs DFN 100V 12A N-CH
Datenblatt
2.100Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT DFN2020-8 N-Channel 1 Channel 100 V 12 A 31 mOhms 20 V 4 V 6.8 nC - 55 C + 150 C 23 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFETs DFN2020 P-CH 40V 12A
Datenblatt
5.997Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT DFN2020-8 P-Channel 1 Channel 40 V 12 A 61 mOhms - 20 V, 5 V 2.5 V 15.5 nC - 55 C + 150 C 23 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFETs DFN2020 N-CH 60V 12A
Datenblatt
2.975erwartet ab 11.06.2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT DFN2020-8 N-Channel 1 Channel 60 V 12 A 31 mOhms 20 V 2.5 V 7.5 nC - 55 C + 150 C 23 W Enhancement Reel, Cut Tape