Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Wird ein Fehler angezeigt?

SI3493DDV-T1-GE3

Name: Vishay SI3493DDV-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SI3493DDV-T1-GE3
Price: 0.46 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

78-SI3493DDV-T1-GE3

Herst.- Nr.:

SI3493DDV-T1-GE3

Herst.:

Vishay / Siliconix

Beschreibung:

MOSFETs -20V Vds 8V Vgs TSOP-6

Datenblatt:

SI3493DDV-T1-GE3 Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu Vishay / Siliconix SI3493DDV-T1-GE3

Auf Lager: 10.255

Lagerbestand:: 10.255

sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Auf Bestellung:: 42.000

erwartet ab 16.02.2026
Lieferzeit ab Hersteller:: 8

Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

-,-- €

Erw. Preis:

-,-- €

Vorauss. Zolltarif:

Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+5,00 €)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	0,464 €	0,46 €
	0,28 €	2,80 €
	0,177 €	17,70 €
	0,134 €	67,00 €
	0,12 €	120,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	0,105 €	315,00 €
	0,095 €	570,00 €

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TSOP-6
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	20 V
Id - Drain-Gleichstrom:	8 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	20 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1 V
Qg - Gate-Ladung:	52.2 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	3.6 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Vishay / Siliconix
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	40 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	30 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	20 ns
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	115 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	8 ns
Gewicht pro Stück:	20 mg

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

SI3493DDV-T1-GE3 Datenblatt

Models

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Si3493DDV 20-V-p-Kanal-TrenchFET®-MOSFET der Gen. III

Der Vishay/Siliconix Si3493DDV 20-V-p-Kanal-TrenchFET^®-MOSFET der Gen. III bietet einen niedrigen Einschaltwiderstand von 0,05 Ω (max.) bei -1,8 V_GS. Der Si3493DDV MOSFET wird mit einer Betriebstemperatur von -55 °C bis 150 °C betrieben. Dieser Leistungs-MOSFET ist als Einzel-Konfiguration in einer TSOP-6-Gehäusegröße verfügbar. Der Si3493DDV MOSFET bietet einen Einschaltwiderstand für eine große Auswahl von Applikationen. Zu den Applikationen gehören Lastschalter, Batterieschalter und Batteriemanagement in mobilen Geräten.

TrenchFET® Gen III p-Kanal-Leistungs-MOSFETs

Die TrenchFET^® Gen III p-Kanal-Leistungs-MOSFETs von Vishay/Siliconix bieten einen niedrigen Einschaltwiderstand, geringe Spannungsabfälle, einen höheren Wirkungsgrad und eine längere Batterielaufzeit. Diese Leistungs-MOSFETs sind in zahlreichen Gehäusegrößen erhältlich. Die p-Kanal-MOSFETs bieten On-Widerstandswerte für eine große Auswahl von Applikationen. Zu den Applikationen gehören Lastschalter, Adapterschalter, Batterieschalter, DC-Motoren und Ladeschalter.