RGW00TK65DGVC11

ROHM Semiconductor
755-RGW00TK65DGVC11
RGW00TK65DGVC11

Herst.:

Beschreibung:
IGBTs 650V 50A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT

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ROHM Semiconductor
Produktkategorie: IGBTs
RoHS:  
Si
TO-3PFM-3
Through Hole
Single
650 V
1.9 V
30 V
45 A
89 W
- 40 C
+ 175 C
Tube
Marke: ROHM Semiconductor
Kriechstrom Gate-Emitter: 200 nA
Produkt-Typ: IGBT Transistors
Verpackung ab Werk: 450
Unterkategorie: IGBTs
Artikel # Aliases: RGW00TK65D
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TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

Field Stop Trench IGBTs

ROHM Field Stop Trench IGBTs are energy-saving, high-efficiency IGBTs used in a wide range of high-voltage and high-current applications. These IGBTs feature a low collector and emitter saturation voltage, short-circuit that withstands time, and built-in very fast and soft recovery FRD. The field stop trench IGBTs are ideal for UPS, power conditioners, welder, and general inverters for industrial use.

RGW 650-V-Field-Stop-Trench-IGBTs

Die RGW 650-V-Field-Stop-Trench-IGBTs von ROHM Semiconductor bieten eine niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung in einem kleinen Gehäuse. Die RGW-IGBTs zeichnen sich durch hohe Schaltgeschwindigkeiten, niedrige Schaltverluste und eine eingebaute, sehr schnelle und weiche Rückspeisung FRD aus. Die ROHM RGW 650-V-Field-Stop-Trench-IGBTs sind ideal für Solar-Wechselrichter, USV, Schweiß-, IH- und PFC-Anwendungen.