Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Zurück zu Suchergebnissen

Wird ein Fehler angezeigt?

CGHV27030S

Name: MACOM CGHV27030S
Brand: MACOM
SKU: 941-CGHV27030S
Price: 69.95 EUR
Availability: OutOfStock

Mouser-Nr.:

941-CGHV27030S

Herst.- Nr.:

CGHV27030S

Herst.:

MACOM

Beschreibung:

GaN FETs GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt

Datenblatt:

CGHV27030S Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu MACOM CGHV27030S

Verfügbarkeit

Lagerbestand:: 0

Sie können dieses Produkt immer noch nachbestellen.

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Auf Bestellung:: 500

erwartet ab 03.08.2026
Lieferzeit ab Hersteller:: 26

Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Lange Lieferzeit für dieses Produkt.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

-,-- €

Erw. Preis:

-,-- €

Vorauss. Zolltarif:

Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 250)

Cut-Tape

MouseReel™ (+5,00 €)

Dieses Produkt wird KOSTENLOS versandt

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	69,95 €	69,95 €
	55,32 €	553,20 €
	48,35 €	4.835,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 250)
	48,35 €	12.087,50 €

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	MACOM
Produktkategorie:	GaN FETs
RoHS:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DFN-12
Transistorpolung:	N-Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	150 V
Id - Drain-Gleichstrom:	3.6 A
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	- 3 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	12 W
Marke:	MACOM
Konfiguration:	Single
Verstärkung:	21 dB
Maximale Drain-Gate-Spannung:	50 V
Maximale Betriebsfrequenz:	2.7 GHz
Mindestbetriebsfrequenz:	0 Hz
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Ausgangsleistung:	30 W
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Produkt-Typ:	GaN FETs
Verpackung ab Werk:	250
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Transistorart:	GaN HEMT
Vgs - Gate-Source-Durchschlagspannung:	- 10 V, 2 V
Gewicht pro Stück:	282,130 mg

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

CGHV27030S Datenblatt (PDF)

PCN

Für diese Funktionalität ist die Aktivierung von JavaScript erforderlich.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

CGHV27030S GaN-HEMT

Der 30 W Gallium-Nitrid (GaN) High Electron Mobility Transistor (HEMT) CGHV27030S von Wolfspeed bietet hohe Bandbreitenkapazitäten sowie einen hohen Wirkungsgrad mit hoher Verstärkung. Im Betrieb bei 6,0 GHz Gleichstrom bietet der CGHV27030S eine Verstärkung von 21 dB, -36 dBc ACLR und 32 % Wirkungsgrad bei 5 W PAVE. Der Transistor kann entweder mit einer 28 V- oder einer 50 V-Schiene betrieben werden. Der CGHV27030S kann auch einen hohen Grad von ADP- und DPD-Korrektur anwenden. Der GaN-HEMT CGHV27030S eignet sich gut für 700–960 MHz, 1.200–1.400 MHz, 1.800–2.200 MHz, 2.500–2.700 MHz und 3.300–3.700 MHz Telekommunikationsapplikationen, die sowohl mit 28 V als auch 50 V betrieben werden können. Das Gerät ist auch ideal für 20–2500 MHz taktische Kommunikationsapplikationen, L-Band-Radar und S-Band-Radar.
Mehr erfahren