Trench 9 Superjunction-MOSFETs

Nexperia Trench 9 Superjunction-MOSFETs kombinieren die Niederspannungs-Superjunction-Technologie mit fortschrittlicher Gehäusetechnologie und bieten damit eine hohe Leistungsfähigkeit und Robustheit. Alle Trench-9-MOSFETs sind AEC-Q101-qualifiziert und übertreffen die Anforderungen dieses internationalen Automotive-Standards in den wichtigsten Zuverlässigkeitstests, darunter zyklische Temperaturänderungen (TC), Hochtemperatur-Gate-Vorspannung (HTGB), Hochtemperatur-Umkehrspannung (HTRB) und intermittierende Lebensdauer (IOL) um das Zweifache.

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Verpackung
Nexperia MOSFETs SOT1023 N-CH 40V 190A
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21.350Auf Lager
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Si SMD/SMT LFPAK-56E-4 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 740 uOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 126 nC - 55 C + 175 C 395 W Enhancement Trench 9 Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFETs SOT669 N-CH 40V 120A
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Si SMD/SMT LFPAK-56-5 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 1.07 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 90.5 nC - 55 C + 175 C 217 W Enhancement Trench 9 Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFETs SOT669 N-CH 40V 120A
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5.988Auf Lager
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Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 3.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 53 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFETs SOT669 N-CH 40V 190A
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Si SMD/SMT LFPAK-56-5 N-Channel 1 Channel 40 V 190 A 1.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 103 nC - 55 C + 175 C 395 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFETs SOT669 N-CH 40V 120A
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1.500erwartet ab 29.06.2026
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Si SMD/SMT LFPAK-56-5 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 950 uOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 96 nC - 55 C + 175 C 294 W Enhancement Trench 9 Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFETs SOT669 N-CH 40V 190A
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Si SMD/SMT LFPAK-56-5 N-Channel 1 Channel 40 V 190 A 1.3 mOhms - 10 V, 16 V 2.05 V 99 nC - 55 C + 175 C 395 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFETs SOT669 N-CH 40V 120A
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Si SMD/SMT LFPAK-56-5 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 2.8 mOhms - 10 V, 16 V 2.05 V 4.7 nC - 55 C + 175 C 172 W Enhancement Reel
Nexperia MOSFETs SOT669 N-CH 40V 68A
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Si SMD/SMT LFPAK-56-4 N-Channel 1 Channel 40 V 68 A 7 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 26 nC - 55 C + 175 C 64 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
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Produkt-Kommentare
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1.500erwartet ab 28.09.2026
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Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel 2 Channel 40 V 42 A 13.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 13 nC - 55 C + 175 C 46 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFETs SOT1023 N-CH 40V 220A
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2.990erwartet ab 05.02.2027
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Si SMD/SMT LFPAK-56E-4 N-Channel 1 Channel 40 V 220 A 1 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 131 nC - 55 C + 175 C 500 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFETs SOT669 N-CH 40V 120A
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1.500erwartet ab 04.01.2027
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Si SMD/SMT LFPAK-56-5 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 1.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 79 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement Trench 9 Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFETs SOT669 N-CH 40V 120A
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3.000erwartet ab 28.09.2026
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Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 1.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 59 nC - 55 C + 175 C 172 W Enhancement Trench 9 Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFETs SOT669 N-CH 40V 70A
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1.500erwartet ab 08.01.2027
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Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 40 V 70 A 6.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.15 V 21 nC - 55 C + 175 C 64 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFETs SOT1023 N-CH 40V 220A
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
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Si SMD/SMT LFPAK-56E-4 N-Channel 1 Channel 40 V 220 A 940 uOhms - 16 V, 16 V 1.35 V 168 nC - 55 C + 175 C 500 W Enhancement Reel
Nexperia MOSFETs SOT669 N-CH 40V 120A
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Si LFPAK-56-5 Reel
Nexperia MOSFETs SOT669 N-CH 40V 120A
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Si LFPAK-56-5 Reel
Nexperia MOSFETs SOT669 N-CH 40V 120A
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Si LFPAK-56-5 Reel