NXH300B100H4Q2F2 Q2BOOST-Modul

Das NXH300B100H4Q2F2 Q2BOOST-Modul von Onsemi bietet drei Kanäle, eine höhere Ausgangsleistung und eine einfache Modulmontage. Jeder Kanal enthält zwei IGBTs mit 1.000 V, 100 A, zwei SiC-Dioden mit 1.200 V, 30 A und zwei Bypass-Dioden mit 1.600 V, 30 A. Das Q2BOOST-Modul bietet einen hervorragenden Wirkungsgrad und ausgezeichnete thermische Verluste mit der Flexibilität, verschiedene Fertigungsverfahren zu unterstützen.

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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Produkt Konfiguration Kollektor-Emitterspannung VCEO max. Sättigungsspannung Kollektor-Emitter Kollektorgleichstrom bei 25 C Kriechstrom Gate-Emitter Pd - Verlustleistung Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Verpackung
onsemi NXH300B100H4Q2F2S1G
onsemi IGBT-Module PIM 1500V 250KW Q2BOOST 36Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Tray
onsemi NXH300B100H4Q2F2SG
onsemi IGBT-Module MASS MARKET 250KW 1500V Q2 3 LEVEL BOOST 36Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
IGBT Modules Tray
onsemi NXH300B100H4Q2F2PG
onsemi IGBT-Module MASS MARKET 250KW 1500V Q2 3 LEVEL BOOST 72Ab Werk erhältlich
Min.: 36
Mult.: 36

SiC IGBT Modules Dual Common Source 1 kV 1.8 V 73 A 400 nA 194 W - 40 C + 150 C Tray