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MMFTP6312D

Name: Diotec Semiconductor MMFTP6312D
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 637-MMFTP6312D
Price: 0.38 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

637-MMFTP6312D

Herst.- Nr.:

MMFTP6312D

Herst.:

Diotec Semiconductor

Beschreibung:

MOSFETs MOSFET, SOT-26, -20V, -2.3A, 150C, P

Datenblatt:

MMFTP6312D Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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	0,086 €	774,00 €
	0,084 €	2.016,00 €
	0,065 €	2.925,00 €

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Hersteller:	Diotec Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOT-26-6
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	20 V
Id - Drain-Gleichstrom:	2.3 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	115 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.5 V
Qg - Gate-Ladung:	4.4 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	960 mW
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	Diotec Semiconductor
Konfiguration:	Dual
Abfallzeit:	8 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	13 ns
Serie:	MMFTN/P
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Regelabschaltverzögerungszeit:	18 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	8 ns

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Datenblatt

MMFTP6312D Datenblatt (PDF)

Models

Full Material Declaration (PDF)

TARIC:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

Advanced Trench Technology Power MOSFETs

Diotec Semiconductors Advanced Trench Technology Power MOSFETs feature low on-state resistance and fast switching time. These MOSFETs components are available in standard commercial/industrial grading. The power MOSFETs are offered as N, P, or dual N+P channel types in single, dual, and H bridge configurations. These MOSFETs offer a 100mA to 280A current range and a 20V to 250V voltage range.

MMFTP6312D Dual P-Channel MOSFET

Diotec Semiconductor MMFTP6312D Dual P-Channel MOSFET offers fast switching times in a SOT-26 (SOT-457) package. The MMFTP6312D MOSFET features a 20V maximum drain-source voltage, 0.70W to 0.96W maximum power dissipation range, and a 2.3A maximum drain current in a -50°C to +150°C junction temperature range. The Diotec Semiconductor MMFTP6312D Dual P-Channel MOSFET is ideal for signal processing, battery management, drivers, and logic-level converters.