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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Verpackung
Diodes Incorporated MOSFETs ENHANCE MODE MOSFET 30V/4.82 - 7.44A
Datenblatt
50.970Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT DFN-3030-8 N-Channel 1 Channel 30 V 7.44 A 11 mOhms - 25 V, 25 V 800 mV 9.47 nC - 55 C + 150 C 940 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFETs ENHANCE MODE MOSFET N Chan 30V/6.3-9.7A
Datenblatt
877Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 30 V 9.7 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 1.05 V 18.85 nC - 55 C + 150 C 1.68 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFETs ENHANCE MODE MOSFET N Chan 30V/6.5-10.0A
Datenblatt
4.439Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 30 V 10 A 12 mOhms - 25 V, 25 V 800 mV 8.7 nC - 55 C + 150 C 1.71 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated MOSFETs Dual N-Ch 30V VDSS 25 Vgss 42A IDM
Datenblatt
582Auf Lager
20.000Auf Bestellung
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 30 V 7.5 A 16 mOhms - 25 V, 25 V 800 mV 8.56 nC - 55 C + 150 C 1.17 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFETs N-Ch MOSFET 30V 60A IDM 1.42W PD
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT DFN-3030-8 N-Channel 1 Channel 30 V 7.62 A 10 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 18.85 nC - 55 C + 150 C 990 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel