UF3N120007K4S

onsemi
772-UF3N120007K4S
UF3N120007K4S

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Beschreibung:
JFETs UF3N120007K4S

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onsemi
Produktkategorie: JFETs
RoHS:  
SiC
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
Single
1.2 kV
- 30 V to 30 V
20 uA
120 A
7.1 mOhms
789 W
- 55 C
+ 175 C
UF3N
Tube
Marke: onsemi
Produkt-Typ: JFETs
Verpackung ab Werk: 30
Unterkategorie: Transistors
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TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

UF3N120007K4S JFET N-Kanal-Transistor mit 1.200 V

Der EliteSic-JFET-N-Kanal-Transistor mit 1.200 V UF3N120007K4S von onsemi ist ein Hochleistungs-SiC-JFET-Transistor der 3. Generation mit 1.200 V und 7,1 mΩ und normalerweise geschlossenem Schaltzustand. Dieses Gerät weist einen extrem niedrigen Einschaltwiderstand [RDS(ON)] in einem TO247-4 Gehäuse auf und ist daher bestens geeignet für die Bewältigung anspruchsvoller thermischer Einschränkungen von Halbleiter-Leistungsschaltern und Relaisanwendungen. Bei dem Bauteil UF3N120007K4SJFET von onsemi handelt es sich um eine robuste Technologie, die dazu ausgelegt ist, die in Schaltungsschutzapplikationen erforderliche Hochenergieumschaltung durchzuführen.