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NTMFD5C672NLT1G

Name: onsemi NTMFD5C672NLT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFD5C672NLT1G
Price: 1.15 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NTMFD5C672NLT1G

Herst.- Nr.:

NTMFD5C672NLT1G

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs T6 60V LL S08FL DS

Datenblatt:

NTMFD5C672NLT1G Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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	1,15 €	1,15 €
	0,725 €	7,25 €
	0,48 €	48,00 €
	0,375 €	187,50 €
	0,323 €	323,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1500)
	0,297 €	445,50 €

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SO-8FL-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	60 V
Id - Drain-Gleichstrom:	49 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	11.9 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.2 V
Qg - Gate-Ladung:	12.3 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	3.1 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Dual
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	MY
Abfallzeit:	28 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	27.5 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	30 ns
Serie:	NTMFD5C672NL
Verpackung ab Werk:	1500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	2 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	22 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	11 ns

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Datenblatt

NTMFD5C672NLT1G Datenblatt

PCN

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

NTMFD5C672NL n-Zweikanal-Leistungs-MOSFET

Der n-Zweikanal-Leistungs-MOSFET NTMFD5C672NL von Onsemi ist für kompakte und effiziente Designs, einschließlich einer hohen thermischen Leistungsfähigkeit ausgelegt. Dieser MOSFET verfügt über einen niedrigen R_DS(on), eine niedrige QG und Kapazität, eine Drain-Source-Spannung von 60 V, einen gepulsten Drainstrom von 146 A und einen Sperrschicht-Betriebstemperaturbereich von -55 °C bis +175 °C. Der NTMFD5C672NL Dual-N-Kanal-Leistungs-MOSFET ist blei-, halogen-/BFR-frei und RoHs-konform. Zu den typischen Applikationen gehören Motorsteuerung, Leistungsschalter (High-Side-Treiber, Low-Side-Treiber und H-Brücken), synchrone DC/DC-Regler sowie Batteriemanagement- und Schutzsysteme.