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AFGB30T65RQDN

Name: onsemi AFGB30T65RQDN
Brand: onsemi
SKU: 863-AFGB30T65RQDN
Price: 3.69 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-AFGB30T65RQDN

Herst.- Nr.:

AFGB30T65RQDN

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

IGBTs IGBT - 650V 30A -Short circuit rated FS4 - Automotive

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

AFGB30T65RQDN Datenblatt

ECAD Model:

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	2,43 €	24,30 €
	1,81 €	181,00 €
	1,62 €	810,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 800)
	1,43 €	1.144,00 €

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Verpackung/Gehäuse:	D2PAK-3
Montageart:	SMD/SMT
Konfiguration:	Single
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	650 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	1.58 V
Maximale Gate-Emitter-Spannung:	20 V, 30 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	68 A
Pd - Verlustleistung:	235.48 W
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Serie:	AFGB30T65RQDN
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Produkt-Typ:	IGBTs
Verpackung ab Werk:	800
Unterkategorie:	Transistors

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Datenblatt

AFGB30T65RQDN Datenblatt

PCN

Product Change Notification 2025-12-15 (PDF)

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290095
ECCN:: EAR99

AFGB30T65RQDN IGBT

Der Bipolartransistor mit isoliertem Gate (IGBT) der Baureihe AFGB30T65RQDN von onsemi bietet das optimale Betriebsverhalten für Fahrzeugapplikationen. Dieser IGBT zeichnet sich durch hohe Strombelastbarkeit, schnelles Schalten, hohe Eingangsimpedanz und eine enge Parameterverteilung aus. Der IGBT der Baureihe AFGB30T65RQDN ist kurzschlussfest und bietet eine hohe Gütezahl bei geringen Leitungs- und Schaltverlusten. Dieser IGBT ist AEC-Q101-qualifiziert, bleifrei und RoHS-konform. Zu den typischen Applikationen gehören E-Kompressoren für HEV/EV und PTC- Heizelemente für HEV/EV.