P02SCT3040KR-EVK-001

ROHM Semiconductor
755-P02SCT3040KREVK1
P02SCT3040KR-EVK-001

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Beschreibung:
IC-Entwicklungstools für Energieverwaltung SiC MOSFET Eval Brd TO-247-4L H. Bridge

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ROHM Semiconductor
Produktkategorie: IC-Entwicklungstools für Energieverwaltung
RoHS:  
Evaluation Boards
Gate Driver
12 V
SCT3080KR
Marke: ROHM Semiconductor
Verpackung: Bulk
Produkt-Typ: Power Management IC Development Tools
Verpackung ab Werk: 1
Unterkategorie: Development Tools
Gewicht pro Stück: 1 kg
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TARIC:
8473302000
CNHTS:
8543709990
USHTS:
9030820000
ECCN:
EAR99

P02SCT3040KR-EVK-001 Half-Bridge Evaluation Board

ROHM P02SCT3040KR-EVK-001 Half-Bridge Evaluation Board is for the evaluation of the SCT3040KR, a 1200V 55A N-Channel SiC Power MOSFET. The evaluation board is based on the most common circuit configuration known as a half-bridge circuit. To obtain appropriate evaluation conditions with simple preparation, this board is equipped with an isolated power supply for the attached driver circuit. The board also includes an overcurrent protection circuit and a gate signal protection circuit.