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NTMTSC1D5N08MC

Name: onsemi NTMTSC1D5N08MC
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMTSC1D5N08MC
Price: 7.17 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NTMTSC1D5N08MC

Herst.- Nr.:

NTMTSC1D5N08MC

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs PTNG 80V IN CEBU PQFN88

Datenblatt:

NTMTSC1D5N08MC Datenblatt

ECAD Model:

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	5,74 €	57,40 €
	4,64 €	464,00 €
	4,13 €	2.065,00 €
	3,65 €	3.650,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	3,65 €	10.950,00 €

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DFN-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	80 V
Id - Drain-Gleichstrom:	287 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	1.56 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	101 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	250 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	PH
Abfallzeit:	31 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	219 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	24 ns
Serie:	NTMTSC1D5N08MC
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	69 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	30 ns

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Datenblatt

NTMTSC1D5N08MC Datenblatt

PCN

ON Semiconductor MPN Label Format Change (PDF)

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

NTMTSC1D5N08MC Leistungs-MOSFET

Der onsemi NTMTSC1D5N08MC Leistungs-MOSFET ist ein n-Einkanal-Dual-COOL^®-MOSFET mit einem kleinen Footprint (8 mm x 8 mm) für kompakte Designs. Dieser MOSFET bietet eine Drain-Source-Spannung von 80 V und einen Drain-Strom von 287 A. Der NTMTSC1D5N08MC MOSFET zeichnet sich durch eine niedrige Q_G und eine niedrige Kapazität aus, um Treiberverluste zu minimieren. Dieser MOSFET eignet sich für Elektrowerkzeuge, batteriebetriebene Staubsauger, UAV/Drohnen, Materialtransport, BMS/Speicher und Heimautomation.

Industrielle Motorantriebe

onsemi Industrie-Motorantriebe sind für die globale Nachhaltigkeit ausgelegt und liefern effiziente, erneuerbare Technologien und intelligente Leistung. Laut der vom US- Energieministerium (DOE) veröffentlichten Marktanalyse für 2020 (MSMA) verbrauchen Industriepumpen und Laufwerke jährlich fast 15 % des gesamten US- Rasters. Die MSMA von 2020 schätzt auch, dass jährlich 32,3 Millionen Tonnen CO2-Emissionen eingespart werden können, indem VFDs eingesetzt werden. onsemi stellt eine große Auswahl von VFD-Halbleiterkomponenten her, einschließlich Gate-Treiber, MOSFETs, IGBTs und EliteSiC.