SiC-Schottky-Barriere-Dioden

Die SiC-Schottky-Barriere-Dioden (SBDs) von Toshiba verfügen über hohe Sperrspannungen und eine kurze Sperrverzögerungszeit (trr). Toshiba bietet auch 650-V-Schottky-Barriere-Dioden mit einer Sperrschicht-Schottky-Struktur (JBS) für einen niedrigen Ableitstrom (Ir) und eine hohe Stoßstrombelastbarkeit. Diese Bauteile verbessern den Wirkungsgrad von Schaltnetzteilen.

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Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Konfiguration
If - Durchlassstrom
Vrrm - Periodische Sperrspannung
Vf - Durchlassspannung
Ifsm - Durchlass-Stoßstrom
Ir - Sperrstrom
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Verpackung
Toshiba SiC Schottky Dioden RECT 650V 10A RDL SIC SKY
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97Auf Lager
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Through Hole TO-220F-2L Single 10 A 650 V 1.45 V 79 A 500 nA + 175 C Tube
Toshiba SiC Schottky Dioden SCHOTTKY BARRIER DIODE TO-247 V=650 IF=16A
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29Auf Lager
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Through Hole TO-247-3 Dual Anode Common Cathode 16 A 650 V 1.6 V 130 A 400 nA + 175 C Tube
Toshiba SiC Schottky Dioden RECT 650V 6A RDL SIC SKY
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160Auf Lager
Min.: 1
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Through Hole TO-220F-2L Single 6 A 650 V 1.45 V 52 A 300 nA + 175 C Tube
Toshiba SiC Schottky Dioden V=650 IF=8A
Datenblatt
7Auf Lager
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Through Hole TO-220-2 Single 8 A 650 V 1.45 V 69 A 400 nA + 175 C Tube
Toshiba SiC Schottky Dioden SiC Schottky barrier diode;TO-247-2L; Vrrm=1200V; IF=40A; PD=454W
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58Auf Lager
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Through Hole TO-247-2L Single 102 A 1.2 kV 1.27 V 1.91 kA 3.6 uA + 175 C Tube
Toshiba SiC Schottky Dioden RECT 1.2KV 38A RDL SIC SKY
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36Auf Lager
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Through Hole TO-247-2 Single 38 A 1.2 kV 1.27 V 690 A 1 uA - 55 C + 175 C Tube

Toshiba SiC Schottky Dioden RECT 1.2KV 18A RDL SIC SKY
Datenblatt
36Auf Lager
Min.: 1
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Through Hole TO-247-3 Common Anode 36 A 1.2 kV 1.27 V 820 A 500 nA - 55 C + 175 C Tube
Toshiba SiC Schottky Dioden RECT 1.2KV 61A RDL SIC SKY
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68Auf Lager
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Through Hole TO-247-2 Single 61 A 1.2 kV 1.27 V 1.08 kA 2 uA - 55 C + 175 C Tube

Toshiba SiC Schottky Dioden RECT 1.2KV 32A RDL SIC SKY
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24Auf Lager
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Through Hole TO-247-3 Common Anode 64 A 1.2 kV 1.27 V 1.38 kA 1 uA - 55 C + 175 C Tube
Toshiba SiC Schottky Dioden RECT 1.2KV 30A RDL SIC SKY
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67Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-2L Single 83 A 1.2 kV 1.27 V 1.63 kA 2.8 uA + 175 C
Toshiba SiC Schottky Dioden SCHOTTKY BARRIER DIODE TO-247 V=650 IF=24A
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85Auf Lager
Min.: 1
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Through Hole TO-247-3 Dual Anode Common Cathode 24 A 650 V 1.6 V 184 A 600 nA + 175 C Tube
Toshiba SiC Schottky Dioden SCHOTTKY BARRIER DIODE TO-247 V=650 IF=12A
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11Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 Dual Anode Common Cathode 12 A 650 V 1.6 V 104 A 300 nA + 175 C Tube
Toshiba SiC Schottky Dioden RECT 1.2KV 15A RDL SIC SKY
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15Auf Lager
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Through Hole TO-247-2 Single 50 A 1.2 kV 1.27 V 940 A 1.4 uA - 55 C + 175 C Tube

Toshiba SiC Schottky Dioden RECT 1.2KV 25A RDL SIC SKY
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15Auf Lager
Min.: 1
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Through Hole TO-247-3 Common Anode 50 A 1.2 kV 1.27 V 1.06 kA 700 nA - 55 C + 175 C Tube
Toshiba SiC Schottky Dioden RECT 650V 10A RDL SIC SKY
Datenblatt
60Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 Dual Anode Common Cathode 20 A 650 V 1.6 V 158 A 500 nA + 175 C Tube
Toshiba SiC Schottky Dioden RECT 650V 2A RDL SIC SKY
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307Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-220F-2L Single 2 A 650 V 1.45 V 21 A 200 nA + 175 C Tube
Toshiba SiC Schottky Dioden RECT 650V 4A RDL SIC SKY
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115Auf Lager
Min.: 1
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Through Hole TO-220F-2L Single 4 A 650 V 1.45 V 37 A 200 nA + 175 C Tube
Toshiba SiC Schottky Dioden RECT 650V 12A RDL SIC SKY
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100erwartet ab 10.07.2026
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Through Hole TO-220F-2L Single 12 A 650 V 1.45 V 92 A 600 nA + 175 C Tube
Toshiba SiC Schottky Dioden RECT 650V 10A RDL SIC SKY
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
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Through Hole TO-220F-2L Single 10 A 650 V 1.45 V 83 A 500 nA + 175 C Tube
Toshiba SiC Schottky Dioden RECT 650V 12A RDL SIC SKY
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
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Through Hole TO-220F-2L Single 12 A 650 V 1.45 V 97 A 600 nA + 175 C Tube
Toshiba SiC Schottky Dioden RECT 650V 3A RDL SIC SKY
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
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Through Hole TO-220F-2L Single 3 A 650 V 1.45 V 27 A 200 nA + 175 C Tube
Toshiba SiC Schottky Dioden RECT 650V 4A RDL SIC SKY
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
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Through Hole TO-220F-2L Single 4 A 650 V 1.45 V 39 A 200 nA + 175 C Tube
Toshiba SiC Schottky Dioden V=650 IF=6A
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Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
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Through Hole TO-220-2 Single 6 A 650 V 1.45 V 55 A 300 nA + 175 C Tube
Toshiba SiC Schottky Dioden RECT 650V 8A RDL SIC SKY
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
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Through Hole TO-220F-2L Single 8 A 650 V 1.45 V 65 A 400 nA + 175 C Tube