RGS-Feldstopp-Trench-IGBTs für Fahrzeuganwendungen

Die RGS-Feldstopp-Trench-IGBTs für Fahrzeuganwendungen von ROHM Semiconductor sind AEC-Q101-eingestufte Automotive-IGBTs, die in 1.200 V- und 650 V-Ausführungen verfügbar sind. Diese IGBTs bieten einen branchenführenden niedrigen Leitungsverlust, der die Größe reduziert und den Wirkungsgrad von Applikationen verbessert. Die RGS-IGBTs nutzen die Original-Trench-Gate- und Dünnwafer-Technologien. Diese Technologien helfen, eine niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (VCE(sat)) mit reduzierten Schaltverlusten zu erreichen. Die RGS-IGBTs von ROHM Semiconductor bieten erhöhte Energieeinsparungen in verschiedenen Hochspannungs- und Hochstromanwendungen.

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Verpackung/Gehäuse
Montageart
Konfiguration
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter
Maximale Gate-Emitter-Spannung
Kollektorgleichstrom bei 25 C
Pd - Verlustleistung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Qualifikation
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ROHM Semiconductor IGBTs IGBT Trench Field Stop 1200 V 50 A 395 W Through Hole TO-247N
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Si TO-247N-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V 30 V 50 A 395 W - 40 C + 175 C AEC-Q101 Tube
ROHM Semiconductor IGBTs IGBT Trench Field Stop 1200 V 80 A 555 W Through Hole TO-247N
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Si TO-247N-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V 30 V 80 A 555 W - 40 C + 175 C AEC-Q101 Tube
ROHM Semiconductor IGBTs 10s Short-Circuit Tolerance, 1200V 40A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive
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Si TO-247N-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V 30 V 80 A 555 W - 40 C + 175 C AEC-Q101 Tube
ROHM Semiconductor IGBTs 10s Short-Circuit Tolerance, 1200V 25A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive
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Si TO-247N-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V 30 V 50 A 395 W - 40 C + 175 C AEC-Q101 Tube
ROHM Semiconductor IGBTs IGBT FieldStop Trnch 50A; TO-247N; 650V
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Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 2.1 V 30 V 88 A 326 W - 40 C + 175 C AEC-Q101 Tube
ROHM Semiconductor IGBTs 8s Short-Circuit Tolerance, 650V 50A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive
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Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 2.1 V 30 V 88 A 326 W - 40 C + 175 C AEC-Q101 Tube
ROHM Semiconductor IGBTs 8s Short-Circuit Tolerance, 650V 40A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive
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Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 2.1 V 30 V 73 A 272 W - 40 C + 175 C AEC-Q101 Tube
ROHM Semiconductor IGBTs 8s Short-Circuit Tolerance, 650V 30A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive
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Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 2.1 V 30 V 56 A 223 W - 40 C + 175 C AEC-Q101 Tube
ROHM Semiconductor IGBTs TO247 1200V 15A TRNCH
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Si TO-247N-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V 30 V 30 A 267 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs TO247 650V 50A TRNCH
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Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 2.1 V 30 V 88 A 326 W - 40 C + 175 C AEC-Q101 Tube
ROHM Semiconductor IGBTs 8s Short-Circuit Tolerance, 650V 30A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive
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Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 2.1 V 30 V 56 A 223 W - 40 C + 175 C AEC-Q101 Tube
ROHM Semiconductor IGBTs TO247 650V 40A TRNCH
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450erwartet ab 15.09.2026
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Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 2.1 V 30 V 73 A 272 W - 40 C + 175 C AEC-Q101 Tube
ROHM Semiconductor IGBTs 10s Short-Circuit Tolerance, 1200V 15A, Automotive Field Stop Trench IGBT
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Si TO-247N-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V 30 V 30 A 267 W - 40 C + 175 C Tube