NTMFSC PowerTrench® MOSFETs

Die onsemi PowerTrench®-MOSFETs bieten einen niedrigen RDS(on) bei gleichzeitiger Aufrechterhaltung einer hervorragenden Schaltleistung durch einen extrem niedrigen thermischen Sperrschicht-zu-Umgebungswiderstand (θJA). Dies wird aufgrund der Fortschritte bei sowohl Silizium- als auch Dual Cool™-Gehäusetechnologien ermöglicht. Die PowerTrench®-MOSFETs werden in einem zu 100 % UIL-geprüften und RoHS-konformen DFN-8-Gehäuse geliefert. Zu den typischen Applikationen gehören synchrone Gleichrichter, AC/DC-Netzteile, primärer MOSFET auf isoliertem 48-V-Wandler und isolierte DC/DC-Wandler.

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 Herst.
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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Verpackung
onsemi MOSFETs N-Channel Dual CoolTM 56 PowerTrench MOSFET 80V, ___A, 4.0mohm
Datenblatt
2.398Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3.000

Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 80 V 136 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 43.4 nC - 55 C + 150 C 127 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi NTMFSC010N08M7
onsemi MOSFETs MV7 80V SG 10MOHM PQFN56DC
Datenblatt
2.045Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 80 V 61 A 10 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 29.3 nC - 55 C + 150 C 78.1 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape
onsemi MOSFETs N-Channel Dual CoolTM 56 PowerTrench MOSFET 100V, ___A, 4.2mohm
Datenblatt
2.660Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3.000

Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 100 V 116 A 4.3 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 42 nC - 55 C + 175 C 122 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape