1200 V CoolSiC™ Schottky-Dioden der 5. Generation

Die Infineon 1200 V CoolSiC Schottky-Dioden der 5. Generation sind mit Durchlassströmen von bis zu 40 A für TO-247, 20 A in TO-220 und 20 A in DPAK verfügbar. Die CoolSiC Dioden zielen auf Solar-Wechselrichter, UPS, 3P SNT, Energiespeicherung und Motorantriebsapplikationen ab. Mit der Reduzierung der Durchlassspannung und Temperaturabhängigkeit wird eine neue Ebene des Systemwirkungsgrads erreicht.

Ergebnisse: 29
Auswählen Bild Teile-Nr.
 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Konfiguration
If - Durchlassstrom
Vrrm - Periodische Sperrspannung
Vf - Durchlassspannung
Ifsm - Durchlass-Stoßstrom
Ir - Sperrstrom
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Verpackung
Infineon Technologies SiC Schottky Dioden SIC DISCRETE
Datenblatt
1Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

SMD/SMT Single 5 A 1.2 kV 1.8 V 59 A 33 uA - 55 C + 175 C IDK05G120C5 Reel, Cut Tape
Infineon Technologies SiC Schottky Dioden CoolSiC 1200 V Schottky diode G5 with .XT interconnection technology
Datenblatt
480Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Tube
Infineon Technologies SiC Schottky Dioden SIC DISCRETE
Datenblatt
Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

SMD/SMT Single 16 A 1.2 kV 1.95 V 140 A 80 uA - 55 C + 175 C IDK16G120C5 Reel, Cut Tape
Infineon Technologies SiC Schottky Dioden SIC CHIP/DISCRETE
Datenblatt
Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 Dual Anode Common Cathode 40 A 1.2 kV 1.4 V 290 A 23 uA - 55 C + 175 C IDW40G120C5 Tube