PSC1065B1-QZ

Nexperia
771-PSC1065B1-QZ
PSC1065B1-QZ

Herst.:

Beschreibung:
SiC Schottky Dioden PSC1065B1-Q/NAU000/UNCASED

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Nexperia
Produktkategorie: SiC Schottky Dioden
RoHS:  
SMD/SMT
PSC1065B1-Q-2
Single
10 A
650 V
1.5 V
440 A
1 uA
- 55 C
+ 175 C
Marke: Nexperia
Pd - Verlustleistung: 58 W
Produkt-Typ: SiC Schottky Diodes
Verpackung ab Werk: 8000
Unterkategorie: Diodes & Rectifiers
Vr - Sperrspannung: 650 V
Artikel # Aliases: 934667973027
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TARIC:
8541100000
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100040
KRHTS:
8541109000
ECCN:
EAR99

PSC1065B1 Siliziumkarbid (SiC)-Schottky-Dioden

Nexperia PSC1065B1 Siliciumcarbid(SiC)-Schottky-Dioden sind für Leistungsumwandlungsapplikationen mit extrem hoher Leistungsfähigkeit, geringem Verlust und hohem Wirkungsgrad ausgelegt. Die zusammengefügte PiN-Schottky(MPS)-Diode bietet ein Schaltverhalten ohne Sperrverzögerung und zeichnet sich durch eine hervorragende Gütezahl (QC x VF) aus. Die PSC1065B1 Diode erhöht die Robustheit, die in einem hohen IFSM beschrieben wird. Diese Dioden eignen sich ideal für AC/DC-Wandler, DC/DC-Wandler, Photovoltaik-Umrichter und Telekommunikations-Netzteile.