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NCD57001FDWR2G

Name: onsemi NCD57001FDWR2G
Brand: onsemi
SKU: 863-NCD57001FDWR2G
Price: 4.83 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NCD57001FDWR2G

Herst.- Nr.:

NCD57001FDWR2G

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

Galvanisch isolierte Gate-Treiber ISOLATED HIGH CURRENT IGBT GATE DRIVER WITH FAST STO

Datenblatt:

NCD57001FDWR2G Datenblatt

ECAD Model:

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	4,83 €	4,83 €
	3,26 €	32,60 €
	3,01 €	75,25 €
	2,43 €	243,00 €
	2,34 €	585,00 €
	2,18 €	1.090,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1000)
	2,04 €	2.040,00 €

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Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	Galvanisch isolierte Gate-Treiber
RoHS:
Serie:	NCD57001FDWR2G
Montageart:	SMD/SMT
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Anstiegszeit:	10 ns
Abfallzeit:	15 ns
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Inverting, Non-Inverting
Anzahl der Treiber:	1 Driver
Anzahl der Ausgänge:	1 Output
Ausgangsstrom:	6 A
Produkt:	IGBT, MOSFET Gate Drivers
Produkt-Typ:	Galvanically Isolated Gate Drivers
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	PMIC - Power Management ICs
Versorgungsspannung - Max.:	5 V
Versorgungsspannung - Min.:	3.3 V

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Datenblatt

NCD57001FDWR2G Datenblatt

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8542399000
USHTS:: 8542390090
ECCN:: EAR99

Kopplung von Gate-Treibern mit EliteSiC-MOSFETs

Energieinfrastrukturapplikationen wie das Laden von Elektrofahrzeugen, Energiespeicherung, unterbrechungsfreie Stromversorgungssysteme (USV) und Solarenergie treiben die Systemleistung auf Hunderte von Kilowatt und sogar Megawatt. Diese Hochleistungsapplikationen verwenden ein Halbbrücken-, Vollbrücken- und Dreiphasen-Topologie-Tastverhältnis mit bis zu sechs Schaltern für Wechselrichter und BLDC. Je nach Leistungspegel und Schaltgeschwindigkeiten suchen Systemdesigner verschiedene Schalttechnologien, einschließlich Silizium, IGBTs und SIC, um die Applikationsanforderungen am besten zu erfüllen.

NCD57001FDWR2G Isolierte IGBT-Gate-Treiber

Die NCD57001FDWR2G isolierten Hochstrom-IGBT-Gate-Treiber von Onsemi sind einkanalige Hochstrom-IGBT-Treiber mit interner galvanischer Trennung, die für einen hohen Systemwirkungsgrad und eine hohe Zuverlässigkeit ausgelegt sind. Dieser Gate-Treiber verfügt über komplementäre Eingänge, Open-Drain-Fehleranzeige- und Ready-Ausgänge, eine aktive Miller-Klemme, präzise Unterspannungssperren (UVLOs), DESAT-Schutz und eine Soft-Abschaltung bei DESAT. Die NCD57001FDWR2G Gate-Treiber von Onsemi unterstützen 5 V- und 3,3 V-Signale auf der Eingangsseite und einen breiten Vorspannungsbereich auf der Treiberseite, der auch negative Spannungen zulässt. Dieser Gate-Treiber bietet eine galvanische Trennung von >5 kV_rms (UL1577-Einstufung) und ist zu >1200 V_iorm (Betriebsspannung) fähig. Typische Applikationen sind Solar-Umrichter, Motorsteuerung, Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (UPS), industrielle Netzteile und Schweißen.

Wärmepumpen

Die Wärmepumpe steht als Eckpfeiler des globalen Wandels hin zu einer sicheren und nachhaltigen Erwärmung und nutzt die emissionsarme Elektrizität für zuverlässige Wärme. Während seine Hauptfunktion die Heizung ist, bieten innovative Rücklaufzyklusmodelle auch Kühlmöglichkeiten. Darüber hinaus bieten Wärmepumpen durch effiziente Rückgewinnung und Anhebung ihrer Temperatur ein enormes Energieeinsparpotenzial. Da Unternehmen sich auf eine kohlenstoffarme Zukunft konzentrieren, besteht eine wachsende Nachfrage nach effizienteren Leistungshalbleitern. Ein ausgewogenes Verhältnis von Kosten, Footprint und Wirkungsgrad ist dabei von entscheidender Bedeutung. Onsemi Intelligente Leistungsmodule (IPMs) stellen eine bemerkenswerte Lösung im Wärmepumpenmarkt dar und bieten ein kompaktes Design, eine hohe Leistungsdichte und erweiterte Steuerfunktionen.