IR-Emitter und Silizium-PIN-Fotodiode

Die IR-Emitter und Silizium-PIN-Fotodioden von Vishay Semiconductors sind 830 nm und 950 nm Hochgeschwindigkeits-Infrarotstrahler und an das Gehäuse angepasste Hochgeschwindigkeits-Silizium-PIN-Fotodioden mit hoher Strahlungsempfindlichkeit von 1 mW/sr bis 1.800 mW/sr. Die Anstiegs- und Abfallzeiten reichen von 2,5 ns bis 1.000 ns. Vishay bietet Dual-Heterojunction-Infrarotstrahler mit den niedrigsten Durchlassspannungen auf dem Markt und hocheffiziente Homojunction-Emitter. Vishay bietet außerdem die größte Auswahl an Hochgeschwindigkeits-PIN-Fotodioden mit geringem Dunkelstrom, die speziell für eine ausgezeichnete Empfindlichkeit zusammen mit einer hohen Zuverlässigkeit ausgelegt sind.

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Vishay Semiconductors Fotodioden Sideview 350-1120nm +/-35 deg 2.738Auf Lager
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Vishay Semiconductors Fotodioden 1206 700 to 1070nm +/-70 deg 906Auf Lager
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Rolle: 3.000

Vishay Semiconductors Fotodioden Sideview 870-1050nm +/-60 deg 301Auf Lager
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Vishay Semiconductors Fotodioden Yoke 790 to 1050nm +/-15 deg 926Auf Lager
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Vishay Semiconductors Infrarot-Emitter 850nm,T-1.75 70mW/sr,+/-22deg. 1.319Auf Lager
4.000erwartet ab 25.02.2026
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Vishay Semiconductors Infrarot-Emitter 890nm, SMD 5mW/sr, +/-17deg. 942Auf Lager
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Vishay Semiconductors Fotodioden Reverse gullwing 350-1120nm +/-15 deg 3.304Auf Lager
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Vishay Semiconductors Infrarot-Emitter 940nm,T-1.75 600mW/sr,+/-3deg.
11.863erwartet ab 11.02.2026
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Vishay Semiconductors Infrarot-Emitter 940nm, SMD 70mW/sr, +/-7deg.
12.000erwartet ab 20.03.2026
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Vishay Semiconductors Infrarot-Emitter SurflightVCSEL 850nm 35mW/sr, +/-28deg.
5.997erwartet ab 13.03.2026
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Vishay Semiconductors Infrarot-Emitter 890nm, T-1.75 700mW/sr, +/-22deg.
8.750Auf Bestellung
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Vishay Semiconductors Infrarot-Emitter HIGH SPEED IR EMITTING DIODE 850NM - E4
5.980erwartet ab 03.03.2026
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Vishay Semiconductors Infrarot-Emitter 850nm, T-1.75 180mW/sr, +/-10deg.
7.991Auf Bestellung
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