IR-Emitter und Silizium-PIN-Fotodiode

Die IR-Emitter und Silizium-PIN-Fotodioden von Vishay Semiconductors sind 830 nm und 950 nm Hochgeschwindigkeits-Infrarotstrahler und an das Gehäuse angepasste Hochgeschwindigkeits-Silizium-PIN-Fotodioden mit hoher Strahlungsempfindlichkeit von 1 mW/sr bis 1.800 mW/sr. Die Anstiegs- und Abfallzeiten reichen von 2,5 ns bis 1.000 ns. Vishay bietet Dual-Heterojunction-Infrarotstrahler mit den niedrigsten Durchlassspannungen auf dem Markt und hocheffiziente Homojunction-Emitter. Vishay bietet außerdem die größte Auswahl an Hochgeschwindigkeits-PIN-Fotodioden mit geringem Dunkelstrom, die speziell für eine ausgezeichnete Empfindlichkeit zusammen mit einer hohen Zuverlässigkeit ausgelegt sind.

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Vishay Semiconductors Fotodioden T-1 770 to 1070nm +/-20 deg 4.909Auf Lager
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Vishay Semiconductors Fotodioden 1206 750 to 1050nm +/-60 deg 2.582Auf Lager
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Vishay Semiconductors Einfarbige LEDs leds CHIPLED(SMD 0603-LED) RED-E4 157.355Auf Lager
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Vishay Semiconductors Infrarot-Emitter HIGH SPEED IR SURF.EMIT.DIODE 940NM-E4 5.474Auf Lager
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Vishay Semiconductors Infrarot-Emitter HIPOW IR EMITTING DIODE 940NM -E3 448Auf Lager
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Vishay Semiconductors Infrarot-Emitter HIPOW IR EMITTING DIODE 940NM -E3 1.014Auf Lager
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