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IFS100B12N3E4_B31

Name: Infineon IFS100B12N3E4_B31
Brand: Infineon Technologies
SKU: 641-IFS100B12N3E4B31
Price: 88.43 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

641-IFS100B12N3E4B31

Herst.- Nr.:

IFS100B12N3E4_B31

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

IGBT-Module MIPAQ BASE 1200V 100A

Datenblatt:

IFS100B12N3E4_B31 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	IGBT-Module
RoHS:
Produkt:	IGBT Silicon Modules
Konfiguration:	6-Pack
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	1.2 kV
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	1.75 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	100 A
Kriechstrom Gate-Emitter:	100 nA
Pd - Verlustleistung:	515 W
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Verpackung:	Tray
Marke:	Infineon Technologies
Produkt-Typ:	IGBT Modules
Serie:	Trenchstop IGBT4 - E4
Verpackung ab Werk:	10
Unterkategorie:	IGBTs
Technologie:	Si
Handelsname:	TRENCHSTOP MIPAQ
Artikel # Aliases:	SP000643756 IFS100B12N3E4B31BOSA1
Gewicht pro Stück:	300 g

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8504409100
CAHTS:: 8541290000
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MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MIPAQ™ Intelligente Leistungsmodule

Die Infineon MIPAQ™ intelligenten Leistungsmodule integrieren Elektronik in Leistungsmodule und sind eine funktionsfähige Produktkategorie innerhalb des IGBT-Modul-Portfolios (IGBT, Insulated Gate Bi-polar Transistor). Diese Leistungsmodule kombinieren IGBT-Module, integrierte Sensor- sowie Antriebs-Elektronik. Die MIPAQ™ Leistungsmodule bieten leistungsstarke und kompakte Wechselrichter für eine niedrige und mittlere Leistung. Die Leistungsmodule sind kostengünstig und energieeffizient.