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PSMN028-100HSX

Name: Nexperia PSMN028-100HSX
Brand: Nexperia
SKU: 771-PSMN028-100HSX
Price: 2.12 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

771-PSMN028-100HSX

Herst.- Nr.:

PSMN028-100HSX

Herst.:

Nexperia

Beschreibung:

MOSFETs SOT1205 100V 29A

Datenblatt:

PSMN028-100HSX Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1500)

Cut-Tape

MouseReel™ (+5,00 €)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	2,12 €	2,12 €
	1,36 €	13,60 €
	1,17 €	58,50 €
	0,92 €	92,00 €
	0,912 €	228,00 €
	0,894 €	447,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1500)
	0,609 €	913,50 €
	0,47 €	1.410,00 €
	0,462 €	2.079,00 €

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Nexperia
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	LFPAK-56D-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	100 V
Id - Drain-Gleichstrom:	29 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	27.5 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	34 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	64 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Nexperia
Produkt-Typ:	MOSFETs
Verpackung ab Werk:	1500
Unterkategorie:	Transistors
Artikel # Aliases:	934665467115

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ECCN:: EAR99

PSMN028 n-Kanal-MOSFET

Der Nexperia PSMN028 n-Kanal-MOSFET ist ein dualer Standard-n-Kanal-MOSFET in einem LFPAK56D-Gehäuse (Dual Power-SO8). Der MOSFET von Nexperia verwendet die TrenchMOS-Technologie. Das Bauteil zeichnet sich durch einen hohen Spitzendrainstrom-IDM und einen Kupferclip mit flexiblen Zuleitungen aus.