AFGBG70T65SQDC

Name: onsemi AFGBG70T65SQDC
Brand: onsemi
SKU: 863-AFGBG70T65SQDC
Price: 6.92 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-AFGBG70T65SQDC

Herst.- Nr.:

AFGBG70T65SQDC

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

IGBTs FS4 70A HIGH SPEED CO-PACK WITH SIC DIODE 20A GEN1.5

Lebenszyklus:

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Datenblatt:

AFGBG70T65SQDC Datenblatt (PDF)

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Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	SiC
Verpackung/Gehäuse:	D2PAK-7
Montageart:	SMD/SMT
Konfiguration:	Single
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	1.54 V
Maximale Gate-Emitter-Spannung:	20 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	75 A
Pd - Verlustleistung:	617 W
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Serie:	AFGBG70T65SQDC
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Kollektorgleichstrom Ic max.:	70 A
Kriechstrom Gate-Emitter:	400 nA
Produkt-Typ:	IGBTs
Verpackung ab Werk:	800
Unterkategorie:	Transistors

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Datenblatt

AFGBG70T65SQDC Datenblatt (PDF)

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541210095
ECCN:: EAR99

AFGBG70T65SQDC N-Kanal-Field-Stop-IV-IGBT

Der AFGBG70T65SQDC N-Kanal-Field-Stop-IV-Hochgeschwindigkeits-IGBT von onsemi verwendet die neuartige Field-Stop-IGBT-Technologie der 4. Generation und die SiC-Schottky-Dioden-Technologie der Generation 1.5. Dieser IGBT mit einer Kollektor-Emitter-Spannung (V_CES) von 650 V ist in einem D²PAK7-Gehäuse erhältlich. Er ist auf eine Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (V_CE(SAT)) von 1,54 V und einen Kollektorstrom (I_C) von 70 A ausgelegt. Der AFGBG70T65SQDC von onsemi bietet ein optimales Betriebsverhalten mit geringen Leitungs- und Schaltverlusten und ermöglicht hohe Effizienz in verschiedenen Applikationen.