IFN160 50 V n-Kanal-JFETs mit niedriger Ciss

Die 50 V n-Kanal-JFETs IFN160 mit niedriger Ciss von InterFET verfügen über einen niedrigen Gate-Ableitstrom und eine niedrige Eingangskapazität (Ciss). Diese JFETs bieten eine hohe Strahlungstoleranz, benutzerdefinierte Tests und Binning-Optionen. Die JFETs IFN160 sind in SMT- und Bare-Chip-Gehäuseoptionen erhältlich. Diese JFETs umfassen die SPICE-Modellierung von Grenzfällen (SPICE ist der De-facto-Standard für die Simulation der Schaltleistung). Die IFN160 JFETs sind für kostensensible, rauscharme Designs ausgelegt und eignen sich hervorragend für Audiomikrofon- und Vorverstärker-Designs. Diese JFETs sind RoHS-, REACH- und CMR-konform. Zu den typischen Applikationen gehören Signalmischer, Schalter mit hoher Impedanz, Kopfhörerverstärker, Audio-Filter, Vorverstärker-Lautsprechersysteme, Ultraschallgeräte, Radar- und Kommunikationssysteme sowie Strahlungserkennung.