20V-60V OptiMOS Power MOSFETs

Infineon's 20V-60V OptiMOS Power MOSFETs are innovative products that serve the market needs throughout the whole energy supply chain. OptiMOS™ is the market leader in highly efficient solutions for power generation (e.g. solar microinverter), power supply (e.g. server and telecom), and power consumption (e.g. electric vehicle). These devices consistently set the benchmark in key specifications for power system design, including leading on-state resistance and Figure of Merit characteristics which lead to reduced power losses and improved overall efficiency. These help customers that face the challenge of growing power demand, higher efficiency, and lower cost.

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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Technologie Montageart Verpackung/Gehäuse Transistorpolung Anzahl der Kanäle Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung Id - Drain-Gleichstrom Rds On - Drain-Source-Widerstand Vgs - Gate-Source-Spannung Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung Qg - Gate-Ladung Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Pd - Verlustleistung Kanalmodus Handelsname Verpackung
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET 15V-30V 3.573Auf Lager
5.000erwartet ab 06.08.2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 25 V 40 A 3.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 13.6 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS 2.168Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 30 V 49 A 6.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 10 nC - 55 C + 150 C 26 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS 42Auf Lager
15.000erwartet ab 15.10.2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 30 V 106 A 2.8 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 26 nC - 55 C + 150 C 48 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS 3.719Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 30 V 40 A 4.6 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 17 nC - 55 C + 150 C 37 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 30V 36A TDSON-8 OptiMOS 65Auf Lager
10.000erwartet ab 20.08.2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 34 V 36 A 12 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 13 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 30V 44A TDSON-8 OptiMOS
10.000erwartet ab 20.08.2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 34 V 44 A 7.7 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 9.6 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
15.000Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 30 V 149 A 2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 44 nC - 55 C + 150 C 69 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 60V 40A TDSON-8
20.000erwartet ab 28.01.2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 98 A 4.9 mOhms - 20 V, 20 V 2.8 V 27 nC - 55 C + 150 C 69 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs 25V 1 N-CH HEXFET 1.25mOhms 46nC
4.797erwartet ab 08.07.2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 4.800

Si SMD/SMT DirectFET-MX N-Channel 1 Channel 25 V 220 A 1.6 mOhms - 20 V, 20 V 1.8 V 46 nC - 40 C + 150 C 96 W Enhancement DirectFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET 15V-30V Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 30 V 100 A 2.9 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 19 nC - 55 C + 150 C 43 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 5.000
Mult.: 5.000
: 5.000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 25 V 40 A 6.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 9.1 nC - 55 C + 150 C 26 W Enhancement OptiMOS Reel
Infineon Technologies IPP020N06NXKSA1
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET 60V Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 500
Mult.: 500

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 120 A 2 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement Tube
Infineon Technologies IPP040N06NXKSA1
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET 60V Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 69 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 38 nC - 55 C + 175 C 36 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 5.000
Mult.: 5.000
: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 25 V 100 A 1 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 64 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement OptiMOS Reel
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 5.000
Mult.: 5.000
: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 25 V 100 A 1.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 48 nC - 55 C + 150 C 69 W Enhancement OptiMOS Reel
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 25V 40A TSDSON-8 OptiMOS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 5.000
Mult.: 5.000
: 5.000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 25 V 153 A 1.9 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 39 nC - 55 C + 150 C 69 W Enhancement OptiMOS Reel