150V p-Kanal PowerTrench® MOSFETs

Die 150V p-Kanal PowerTrench® MOSFETs von Fairchild bieten eine p-Kanal Silizium-Technologie mit sehr geringem Einschaltwiderstand DS(on) und Mittenspannung, die für eine niedrige Qg optimiert und ideal für Lastschaltanwendungen ist. Dieser p-Kanal-PowerTrench®-MOSFET wird unter Verwendung von Fairchild Semiconductors fortschrittlichem PowerTrench®-Prozess produziert, der für einen geringen Durchlasswiderstand optimiert wurde, die erstklassige Schaltleistung aber aufrecht erhält.
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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Verpackung
onsemi MOSFETs -150V P-Channel QFET
Datenblatt
12.191Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3.000

Si SMD/SMT Power-33-8 P-Channel 1 Channel 150 V 3 A 1.5 Ohms - 30 V, 30 V 5 V 9 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement QFET Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFETs PT5 150/25V Pch PowerTrench MOSFET
Datenblatt
19.209Auf Bestellung
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3.000

Si SMD/SMT SSOT-3 P-Channel 1 Channel 150 V 800 mA 1.2 Ohms - 25 V, 25 V 3.3 V 2.9 nC - 55 C + 150 C 1.5 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel