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NVMJS3D0N06CTWG

Name: onsemi NVMJS3D0N06CTWG
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMJS3D0N06CTWG
Price: 1.4 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NVMJS3D0N06CTWG

Herst.- Nr.:

NVMJS3D0N06CTWG

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs T6 60V SL LFPAK8 5X6

Lebenszyklus:

NRND:

Nicht empfohlen für neue Designs.

Datenblatt:

NVMJS3D0N06CTWG Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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	1,40 €	1,40 €
	0,937 €	9,37 €
	0,782 €	78,20 €
	0,752 €	376,00 €
	0,728 €	728,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	0,718 €	2.154,00 €

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	LFPAK-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	60 V
Id - Drain-Gleichstrom:	139.3 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	2.9 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	34 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	112.5 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	PH
Abfallzeit:	7 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	6 ns
Serie:	NVMJS3D0N06C
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	27 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	16 ns

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Datenblatt

NVMJS3D0N06CTWG Datenblatt

PCN

Product Change Notification 2024-06-12 (PDF)

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NVMJS3D0N06C Automotive-Leistungs-MOSFET

Der Onsemi NVMJS3D0N06C Automotive-Leistungs-MOSFET bietet hohe Leistungsfähigkeit in einem 5 mm x 6 mmLFPAK-Gehäuse. Der AEC-Q101-qualifizierte und PPAP-fähige NVMJS3D0N06C eignet sich hervorragend für kompakte und effiziente Designs in -Fahrzeuganwendungen, die eine hohe Zuverlässigkeit auf Boardebene erfordern.