SIHx5N80AE Leistungs-MOSFETs

Vishay/Siliconix SIHx5N80AE Leistungs-MOSFETs verfügen über eine niedrige Gütezahl, eine niedrige Effektivleistung und geringere Schalt- sowie Leitungsverluste. Die SIHx5N80AE Leistungs-MOSFETs von Vishay/Siliconix verfügen über eine Drain-Quellenspannung von 850 V und eignen sich hervorragend für Server- und Telekommunikations-Netzteile. Darüber hinaus nutzen die SIHx5N80AE MOSFETs eine extrem niedrige Gate-Ladung und einen integrierten Zener-Dioden-ESD-Schutz.

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Verpackung
Vishay / Siliconix MOSFETs DPAK 800V 4.4A E SERIES
Datenblatt
2.914Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT TO-252-4 N-Channel 1 Channel 800 V 4.4 A 1.35 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 11 nC - 55 C + 150 C 62.5 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFETs TO220 800V 3A E SERIES
Datenblatt
1.814Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 3 A 1.35 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 11 nC - 55 C + 150 C 29 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFETs N-CHANNEL 100 V
Datenblatt
2.899Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3.000

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 800 V 4.4 A 1.35 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 11 nC - 55 C + 150 C 62.5 W Enhancement Reel, Cut Tape