PSC0665K Siliziumkarbid (SiC) Schottky-Dioden
Nexperia PSC0665K Schottky-Dioden aus Siliziumkarbid (SiC) bieten hohe Leistungsdichte, hohe IFSM-Fähigkeit und hervorragende Gütezahl (Qc x VF). Diese Dioden zeichnen sich durch rückwirkungsfreies Schaltverhalten, reduzierte EMI, rückwirkungsfreie Erholung in Durchlass- und Sperrrichtung sowie geringen Verlust aus. PSC0665K Schottky-Dioden sind in einem Real-2-Pin (R2P) TO-220-2, Real-2-Pin DPAK R2P (TO-252-2) oder in einem Bare-Die-Gehäuse gekapselt. Diese Dioden kommen in Wechsel-Gleichstromwandlern, reinen Gleichstromwandlern, Schaltnetzteilen (SMPS), unterbrechungsfreien Stromversorgungen (UPS), Photovoltaik-Wechselrichtern und Telekom-Netzteilen zum Einsatz.
