SH8J Pch Leistungs-MOSFETs

Die Leistungs-MOSFETs SH8J Pch von ROHM Semiconductor weisen einen niedrigen Durchlasswiderstand auf und sind in einem kleinen oberflächenmontierten Gehäuse (SOP8) untergebracht. ROHM bietet eine breite Spannungspalette von Kleinsignalprodukten bis hin zu 800-V-Hochspannungsprodukten. Sie können für verschiedene Applikationen wie Stromversorgungen und Motorantriebsschaltungen verwendet werden.

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 Herst.
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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Verpackung
ROHM Semiconductor MOSFETs -60V Dual Pch+Pch, SOP8, Power MOSFET
Datenblatt
9.144Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2.500

Si SMD/SMT SOP-8 P-Channel 2 Channel 60 V 7.5 A 32 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 50 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFETs -40V Dual Pch+Pch, SOP8, Power MOSFET
Datenblatt
1.896Auf Lager
2.500erwartet ab 05.06.2026
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2.500

Si SMD/SMT SOP-8 P-Channel 2 Channel 40 V 8.5 A 15.3 mOhms - 10 V, 10 V 2.5 V 51 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape