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 Herst.
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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Verpackung
ROHM Semiconductor MOSFETs -60V Dual Pch+Pch, SOP8, Power MOSFET
Datenblatt
8.025Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT SOP-8 P-Channel 2 Channel 60 V 7.5 A 32 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 50 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFETs -40V Dual Pch+Pch, SOP8, Power MOSFET
Datenblatt
2.470erwartet ab 15.07.2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT SOP-8 P-Channel 2 Channel 40 V 8.5 A 15.3 mOhms - 10 V, 10 V 2.5 V 51 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape