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NCP51705MNTXG

Name: onsemi NCP51705MNTXG
Brand: onsemi
SKU: 863-NCP51705MNTXG
Price: 3.78 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NCP51705MNTXG

Herst.- Nr.:

NCP51705MNTXG

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

Gate-Treiber SIC MOSFET DRIVER

Datenblatt:

NCP51705MNTXG Datenblatt

ECAD Model:

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Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+5,00 €)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	3,78 €	3,78 €
	2,86 €	28,60 €
	2,63 €	65,75 €
	2,38 €	238,00 €
	2,26 €	565,00 €
	2,04 €	2.040,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	2,02 €	6.060,00 €

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	Gate-Treiber
RoHS:
Produkt:	MOSFET Gate Drivers
Typ:	Low-Side
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	QFN-24
Anzahl der Treiber:	1 Driver
Anzahl der Ausgänge:	1 Output
Ausgangsstrom:	6 A
Versorgungsspannung - Min.:	10 V
Versorgungsspannung - Max.:	22 V
Anstiegszeit:	8 ns
Abfallzeit:	8 ns
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Serie:	NCP51705
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	onsemi
Land der Bestückung:	TH
Land der Verbreitung:	TW
Ursprungsland:	TH
Logiktyp:	TTL
Maximale Abschaltverzögerungszeit:	50 ns
Maximale Anschaltverzögerungszeit:	50 ns
Betriebsversorgungsstrom:	12 mA
Pd - Verlustleistung:	2.9 W
Produkt-Typ:	Gate Drivers
Verzögerungszeit - Max.:	50 ns
Abschaltung:	Shutdown
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	PMIC - Power Management ICs
Technologie:	Si

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Datenblatt

NCP51705MNTXG Datenblatt

PCN

CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
JPHTS:: 8541290100
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

Breitbandlücken-SiC-Bauteile

Die Breitbandlücken-Siliziumkarbid-Bauteile von onsemi enthalten eine völlig neue Technologie, die im Vergleich zu Silizium eine überlegene Schaltleistung und eine höhere Zuverlässigkeit bietet. Die Vorteile für das System sind ein verbesserter System-Wirkungsgrad, eine schnellere Betriebsfrequenz, eine erhöhte Leistungsdichte, eine reduzierte EMI, eine kleinere Systemgröße und niedrigere Kosten. Das SiC-Portfolio von onsemi umfasst 650-V- und 1.200-V-Dioden, 650-V- und 1.200-V-IGBT- und SiC-Dioden-Power-Integrated-Module (PIMs), 1.200-V-MOSFETs und SiC-MOSFET-Treiber sowie AEC-Q100-qualifizierte Bauteile.

NCP51705 Gate-Treiber

Der onsemi NCP51705 Gate-Treiber ist hauptsächlich für den Antrieb von SiC-MOSFET-Transistoren ausgelegt. Dieser Gate-Treiber ist in der Lage, eine maximal zulässige Gate-Spannung an das SiC-MOSFET-Bauteil zu liefern. Die NCP51705 Treiber nutzt seine On-Board-Ladungspumpe zur Erzeugung einer benutzereinstellbaren negativen Spannungsschiene. Dieser Gate-Treiber bietet eine extern zugängliche 5V-Schiene zur Stromversorgung der Sekundärseite der Digital- oder Hochgeschwindigkeits-Optoisolatoren. Die NCP51705 Treiber bietet Schutzfunktionen, wie Unterspannungssperre-Überwachung und Übertemperaturschutz basierend auf der Sperrschichttemperatur des Treiber-Schaltkreises. Zu den typischen Applikationen gehören der Antrieb von SiC-MOSFETs, industrielle Wechselrichter, Motorantriebe, PFC, AC/DC- und DC/DC-Wandler.