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NTH4L014N120M3P

Name: onsemi NTH4L014N120M3P
Brand: onsemi
SKU: 863-NTH4L014N120M3P
Price: 24.79 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NTH4L014N120M3P

Herst.- Nr.:

NTH4L014N120M3P

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

SiC-MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 14mohm, 1200V, M3P, TO-247-4L

Datenblatt:

NTH4L014N120M3P Datenblatt

ECAD Model:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	127 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	20 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.63 V
Qg - Gate-Ladung:	329 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	686 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	EliteSiC
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	13 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	29 S
Verpackung:	Tube
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Anstiegszeit:	40 ns
Serie:	NTH4L014N120M3P
Verpackung ab Werk:	450
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Regelabschaltverzögerungszeit:	68 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	26 ns

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Datenblatt

NTH4L014N120M3P Datenblatt

PCN

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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