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SQJ211ELP-T1_GE3

Name: Vishay SQJ211ELP-T1_GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SQJ211ELP-T1_GE3
Price: 2.06 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

78-SQJ211ELP-T1_GE3

Herst.- Nr.:

SQJ211ELP-T1_GE3

Herst.:

Vishay / Siliconix

Beschreibung:

MOSFETs P-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

Datenblatt:

SQJ211ELP-T1_GE3 Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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Cut-Tape

MouseReel™ (+5,00 €)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	2,06 €	2,06 €
	1,31 €	13,10 €
	0,869 €	86,90 €
	0,711 €	355,50 €
	0,701 €	701,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	0,596 €	1.788,00 €
	0,565 €	3.390,00 €

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PowerPAK SO-8
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	100 V
Id - Drain-Gleichstrom:	33.6 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	32.2 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	45 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	68 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	TrenchFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Vishay / Siliconix
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Abfallzeit:	12 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	20 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	4 ns
Serie:	SQJ
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	TrenchFET Power MOSFET
Regelabschaltverzögerungszeit:	37 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	14 ns
Gewicht pro Stück:	2 g

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Datenblatt

SQJ211ELP-T1_GE3 Datenblatt

Models

R-C Thermal Model Parameters

Technical Resources

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

SQJ211ELP 100-V-p-Kanal-Automotive-MOSFET

Der Vishay/Siliconix SQJ211ELP 100-V-p-Kanal-Automotive-MOSFET bietet einen Drain-Source-Strom von -100 V_DS in einem PowerPAK^®-SO-8L-Gehäuse mit Knickflügelleitungen. Dieser MOSFET verfügt über einen Einschaltwiderstand von bis zu 30 Ω bei 10 V und eine maximale Betriebstemperatur von +175 °C. Der SQJ211ELP 100-V-Automotive-p-Kanal-MOSFET von Vishay/Siliconix ist AEC-Q101-qualifiziert, 100% Rg- und UIS-getestet, RoHS-konform und halogenfrei.

SQJ Automotive-MOSFETs

Vishay/Siliconix SQJ Automotive-MOSFETs sind n-Kanal-TrenchFET^®-Gen-IV-Leistungs-MOSFETs mit 40 V_DS. Diese AEC-Q101-qualifizierten MOSFETs sind vollständig R_g- und UIS-getestet (Unclamped Inductive Switching, UIS) mit einem Q_gd-/Q_gs-Verhältnis von weniger als 1, das die Schalteigenschaften optimiert. Die SQJ Automotive-MOSFETs bieten einen sehr niedrigen R_DS(on) und werden in einem Temperaturbereich von -55 °C bis +175 °C betrieben.Diese Automobilstandard-MOSFETs sind in einem PowerPAK^®-SO-8L-Gehäuse mit Einzel-/Dual-Konfigurationen verfügbar. Zu den typischen Applikationen gehören Fahrzeuganwendungen, Motormanagement, Motorantriebe und Servomotoren sowie Batteriemanagement.