ZXMH MOSFET H-Bridges

Diodes Incorporated ZXMH MOSFET H-Bridges feature low on-resistance achievable with low gate drive. Diodes Incorporated ZXMH MOSFET H-Bridges provide 2 x N + 2 x P channels in a SOIC package and low voltage (Vgs = 4.5V) gate drive. Diodes Inc ZXMH MOSFET H-Bridge devices are ideal for DC motor control and DC-AC inverter applications.

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Verpackung

Diodes Incorporated MOSFETs Mosfet H-Bridge 60/-60V 1.8/-1.4A
Datenblatt
42.099Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel, P-Channel 4 Channel 60 V 1.42 A, 1.8 A 250 mOhms, 400 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 3.2 nC, 5.7 nC - 55 C + 150 C 870 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated MOSFETs Mosfet H-Bridge 100/-100 1.1/-0.9
Datenblatt
23.014Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel, P-Channel 4 Channel 100 V 850 mA, 1 A 700 mOhms, 1.45 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 2.9 nC, 3.5 nC - 55 C + 150 C 870 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated MOSFETs Mosfet H-Bridge 30/-30V 2.7/-2.1A
Datenblatt
24.968Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel, P-Channel 4 Channel 30 V 2.06 A, 2.72 A 180 mOhms, 330 mOhms - 20 V, 20 V 1 V, 3 V 3.9 nC, 5.2 nC - 55 C + 150 C 10.9 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET H-BRIDGE SOP-8L
Datenblatt
7.308Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel, P-Channel 4 Channel 30 V 4.13 A, 4.98 A 33 mOhms, 55 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 9 nC, 12.7 nC - 55 C + 150 C 870 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel