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STGWT28IH125DF

Name: STMicroelectronics STGWT28IH125DF
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGWT28IH125DF
Price: 1.38 EUR
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STGWT28IH125DF

Herst.- Nr.:

STGWT28IH125DF

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

IGBTs 1250V 25A trench gte field-stop IGBT

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Datenblatt:

STGWT28IH125DF Datenblatt (PDF)

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	1,38 €	828,00 €
	1,33 €	3.591,00 €

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Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Verpackung/Gehäuse:	TO-3P-3
Montageart:	Through Hole
Konfiguration:	Single
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	1.25 kV
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	2.65 V
Maximale Gate-Emitter-Spannung:	- 20 V, 20 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	60 A
Pd - Verlustleistung:	375 W
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Serie:	STGWT28IH125DF
Verpackung:	Tube
Marke:	STMicroelectronics
Kollektorgleichstrom Ic max.:	30 A
Kriechstrom Gate-Emitter:	250 nA
Produkt-Typ:	IGBT Transistors
Verpackung ab Werk:	300
Unterkategorie:	IGBTs
Gewicht pro Stück:	7 g

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Datenblatt

STGWT28IH125DF Datenblatt (PDF)

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

STGWT28IH125DF Trench-Gate-Field-Stop-IGBT

Die STGWT28IH125DF von STMicroelectronics sind IGBTs mit einer firmeneigenen, modernen Trench-Gate- und Field-Stop-Struktur konstruiert. Optimierte Leistung bei Leitungs- und Schaltverlusten. Eine Freilaufdiode mit einer geringen Durchlassspannung wird mitgeliefert. Das Ergebnis ist ein Produkt, das speziell entwickelt wurde, um den Wirkungsgrad für jede Resonanz- und Softschalt-Anwendung zu maximieren.
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