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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Technologie Montageart Verpackung/Gehäuse Transistorpolung Anzahl der Kanäle Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung Id - Drain-Gleichstrom Rds On - Drain-Source-Widerstand Vgs - Gate-Source-Spannung Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung Qg - Gate-Ladung Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Pd - Verlustleistung Kanalmodus Verpackung
Vishay Semiconductors MOSFETs N-Chan 500V 5.0 Amp 1.262Auf Lager
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Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 500 V 5 A 1.4 Ohms - 30 V, 30 V 2 V 24 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFETs TO263 500V 5A N-CH MOSFET 892Auf Lager
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Mult.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 5 A 1.4 Ohms - 30 V, 30 V 2 V 24 nC - 55 C + 150 C 3.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFETs TO220 500V 5A N-CH MOSFET 2.718Auf Lager
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 5 A 1.4 Ohms - 30 V, 30 V 4.5 V 24 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF8 1.548Auf Lager
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Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 5 A 1.4 Ohms - 30 V, 30 V 4.5 V 24 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFETs TO263 500V 5A N-CH MOSFET 1.447Auf Lager
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 500 V 5 A 1.4 Ohms - 30 V, 30 V 2 V 24 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement Tube