Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Zurück zu Suchergebnissen

Wird ein Fehler angezeigt?

NDSH20120C-F155

Name: onsemi NDSH20120C-F155
Brand: onsemi
SKU: 863-NDSH20120C-F155
Price: 8.03 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-NDSH20120C-F155

Herst.- Nr.:

NDSH20120C-F155

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

SiC Schottky Dioden SIC DIODE GEN2.0 1200V TO

Datenblatt:

NDSH20120C-F155 Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu onsemi NDSH20120C-F155

Auf Lager: 593

Lagerbestand:: 593 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 12 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

-,-- €

Erw. Preis:

-,-- €

Vorauss. Zolltarif:

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	8,03 €	8,03 €
	5,51 €	55,10 €
	4,15 €	415,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	SiC Schottky Dioden
RoHS:
REACH - SVHC:
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-2
Konfiguration:	Single
If - Durchlassstrom:	26 A
Vrrm - Periodische Sperrspannung:	1.2 kV
Vf - Durchlassspannung:	1.75 V
Ifsm - Durchlass-Stoßstrom:	119 A
Ir - Sperrstrom:	2.06 uA
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Serie:	NDSH20120C-F155
Verpackung:	Tube
Marke:	onsemi
Pd - Verlustleistung:	214 W
Produkt-Typ:	SiC Schottky Diodes
Verpackung ab Werk:	450
Unterkategorie:	Diodes & Rectifiers
Handelsname:	EliteSiC
Vr - Sperrspannung:	1.2 kV

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

NDSH20120C-F155 Datenblatt

TARIC:: 8541100000
CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

D3 EliteSiC-Dioden

onsemi D3 EliteSic-Dioden sind eine Lösung für Applikationen, die eine Hochleistungs-PFC und Ausgangsgleichrichtung erfordern. Die D3 von onsemi verfügt über eine maximale Nennspannung von 1.200 V. Diese Dioden sind in zwei Gehäuseoptionen, TO-247-2LD und TO-247-3LD verfügbar und bieten Flexibilität für verschiedene Designs. Die D3 EliteSiC-Dioden sind für einen Hochtemperaturbetrieb mit niedriger Temperaturabhängigkeit des Serienwiderstands optimiert und gewährleisten eine konsistente und zuverlässige Leistung selbst unter extremen Bedingungen.

NDSH20120C-F155 Siliziumkarbid Schottky Diode

Die Onsemi NDSH20120C-F155 Siliziumkarbid (SiC) Schottky Diode bietet im Vergleich zu Silizium eine hervorragende Schaltleistung und eine höhere Zuverlässigkeit. Der NDSH20120C-F155 verfügt über keinen Sperrverzögerungsstrom, temperaturunabhängige Schalteigenschaften und eine ausgezeichnete thermische Leistung. Zu den Vorteilen des Systems gehören ein Hoher Wirkungsgrad, eine schnelle Betriebsfrequenz, eine erhöhte Leistungsdichte, eine reduzierte EMI, eine reduzierte Systemgröße und -kosten. Diese EliteSiC Diode bietet einen positiven Temperaturkoeffizienten und eine einfache Parallelschaltung.